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HMC347LP3 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频开关,封装:16-QFN(3x3)
  • 技术参数:IC RF SWITCH SPDT 14GHZ 16QFN
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HMC347LP3 技术参数详情:

HMC347LP3是一款由亚德诺半导体(ADI)设计生产的高性能、宽带单刀双掷(SPDT)吸收式射频开关芯片。该器件采用先进的GaAs pHEMT工艺制造,其核心架构旨在实现从直流到14GHz极宽频率范围内的卓越射频性能。其吸收式拓扑结构在未选通的端口提供了优异的阻抗匹配,有效减少了信号反射,从而提升了系统在高速切换状态下的稳定性和信号完整性。

该芯片的功能特点十分突出,其工作频率覆盖从直流(0Hz)直至14GHz,展现了极宽的带宽能力。在14GHz的测试频率下,插损典型值低至1.9dB,确保了信号传输的高效率;同时,端口间隔离度高达38dB,能有效抑制通道间的串扰。其线性度表现同样出色,输入三阶交调截点(IIP3)达到43dBm1dB压缩点(P1dB)为23dBm,这使得它能够处理较高功率的信号而保持较低的失真,非常适合对线性度有严苛要求的应用场景。所有端口均匹配至标准的50欧姆阻抗,便于系统集成。

在接口与参数方面,HMC347LP3采用紧凑的16引脚QFN封装,有利于高密度PCB布局。其工作温度范围宽达-55°C至85°C,保证了在恶劣环境下的可靠运行。尽管该产品目前已处于停产状态,但在许多现有系统和设计中仍扮演着关键角色。对于有相关需求的工程师,可以通过专业的ADI芯片代理渠道获取库存或寻找替代方案咨询。

基于其优异的宽带性能和出色的线性度,HMC347LP3非常适合应用于测试与测量设备、军用电子系统、宽带通信基础设施以及卫星通信等高端领域。在这些场景中,它能够可靠地完成信号路径的选择、切换与路由任务,是构建高性能射频前端的理想选择之一。

  • 型号:HMC347LP3
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-QFN(3x3)
  • 类目:射频和无线 > 射频开关
  • 描述:IC RF SWITCH SPDT 14GHZ 16QFN
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:通用
  • 拓扑:吸收
  • 电路:SPDT
  • 频率范围:0Hz ~ 14GHz
  • 隔离:38dB
  • 插损:1.9dB
  • 测试频率:14GHz
  • P1dB:23dBm
  • IIP3:43dBm
  • 特性:-
  • 阻抗:50 欧姆
  • 电压 - 供电:-
  • 工作温度:-55°C ~ 85°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:16-QFN(3x3)
  • HMC347LP3优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC347LP3是ADI公司推出的一款宽带吸收式SPDT射频开关,采用16-QFN封装。其核心优势在于覆盖直流至14GHz的极宽工作频带,并在全频带内提供优异的射频性能指标。

在14GHz测试频率下,该器件实现了低至1.9dB的插入损耗和高达38dB的端口隔离度,确保了信号传输的高效与纯净。同时,其43dBm的高IIP3和23dBm的P1dB展现了卓越的功率处理能力和线性度,能够满足对动态范围要求苛刻的应用需求。这些特性使其成为测试仪器、国防电子及通信系统中实现高可靠性信号切换的关键元器件。

ADV3202:300 MHz、32 × 16缓冲式模拟交叉点开关
ADG428:LC2MOS 、± 15 V、8通道、可锁存、高性能模拟多路复用器
LTC1734:采用 ThinSOT 封装的锂离子线性电池充电器
ADP3605:120 mA开关电容电压反相器,内置调节输出
ADG1309:4通道±15 V/+12 V多路复用器
ADSP-TS101S:300 MHz TigerSHARC处理器,内置6 Mb片内SRAM
ADUM2285:5 KV RMS双通道数字隔离器(默认低电平、2/0通道方向性)
HMC587:采用SMT封装的宽带VCO,带有缓冲放大器,5 - 10 GHz
AD4008:16位、2 MSPS/1 MSPS/500 kSPS、精密伪差分SAR ADC
ADATE320:内置PPMU的1.25 GHz双通道集成DCL、电平设置DAC和片内校准寄存器
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