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HMC347B-SX 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频开关,封装:模具
  • 技术参数:IC RF SWITCH SPDT 20GHZ DIE
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HMC347B-SX 技术参数详情:

作为一款高性能的单刀双掷(SPDT)射频开关芯片,HMC347B-SX采用了先进的吸收式拓扑结构。这种架构设计使其在关断状态下能够将信号能量有效地吸收到匹配的负载中,而非反射回信号路径,从而显著提升了系统的端口匹配性能和信号完整性。芯片以裸片(Die)形式提供,为系统集成商在紧凑的模块化设计中提供了高度的布局灵活性,尤其适用于对空间和性能有极致要求的微波与毫米波应用。

该芯片的核心优势在于其卓越的宽带性能与高线性度。其工作频率覆盖了从100MHz直至20GHz的极宽范围,确保了在卫星通信、测试测量等多种频段应用中的通用性。在20GHz的测试频率下,其插入损耗典型值仅为1.7dB,这意味着信号通过开关时的衰减被控制在极低水平,有助于维持系统链路的整体增益预算。同时,高达45dB的通道隔离度有效抑制了非选通路道的信号泄漏,避免了通道间串扰。其线性度指标尤为突出,1dB压缩点(P1dB)达到25dBm,三阶交调截点(IIP3)高达41dBm,这使得它能够处理高功率信号而不会产生明显的失真,非常适合多载波或高动态范围的应用场景。

在接口与电气参数方面,HMC347B-SX设计为标准50欧姆阻抗,便于与常见的射频系统无缝集成。其工作温度范围宽达-55°C至85°C,保证了在严苛的工业及军用环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过专业的ADI芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其优异的性能参数,这款芯片的理想应用场景非常广泛。它非常适用于甚小孔径终端(VSAT)卫星通信系统中的信号路由与切换,能够满足其对高隔离和低损耗的严格要求。此外,在自动化测试设备(ATE)、雷达系统、点对点无线电以及宽带仪器仪表中,它也能作为关键的射频前端切换元件,提升系统的整体性能和测试精度。其裸片形式也使其成为相控阵雷达T/R模块、集成微波组件(MIC)和单片微波集成电路(MMIC)等高密度集成方案的理想选择。

  • 型号:HMC347B-SX
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:模具
  • 类目:射频和无线 > 射频开关
  • 描述:IC RF SWITCH SPDT 20GHZ DIE
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 射频类型:VSAT
  • 拓扑:吸收
  • 电路:SPDT
  • 频率范围:100MHz ~ 20GHz
  • 隔离:45dB
  • 插损:1.7dB
  • 测试频率:20GHz
  • P1dB:25dBm
  • IIP3:41dBm
  • 特性:-
  • 阻抗:50 欧姆
  • 电压 - 供电:-
  • 工作温度:-55°C ~ 85°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:模具
  • HMC347B-SX优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC347B-SX是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能吸收式SPDT射频开关裸片。该器件在100MHz至20GHz的超宽频率范围内工作,在20GHz频点提供仅1.7dB的低插入损耗和高达45dB的优异隔离度,确保了信号路径的高效与纯净。

其核心卖点在于卓越的功率处理能力和线性度,1dB压缩点(P1dB)为25dBm,三阶交调截点(IIP3)达到41dBm,使其能够从容应对高功率多载波应用,最大程度减少信号失真。作为一款50欧姆阻抗的模具芯片,它为要求严苛的VSAT通信、测试测量及国防电子系统提供了高可靠性的射频切换解决方案。

HMC-ABH241:中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz
LTC1151:双通道 ±15V 零漂移运算放大器
HMC8500PM5E:10 W (40 dBm) 0.01 GHz 至 2.8 GHz GaN 功率放大器
LTC4302:可寻址双线式总线缓冲器
ADUM4473:集成四通道隔离器的隔离式开关稳压器(1/3通道方向性)
LT6119:电流检测放大器、基准和具 POR 功能的比较器
AD7817:片内集成温度传感器的4通道、9 s、10位ADC
ADF4355-2:集成VCO的宽带频率合成器
HMC447:使用InGaP HBT技术,4分频,采用SMT封装,10 - 26 GHz
AD9286:8位、500 MSPS、1.8 V模数转换器(ADC)
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