HMC338LC3BTR-R5是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款高性能次谐波（Sub-Harmonic）混频器芯片，采用先进的GaAs（砷化镓）pHEMT工艺制造，封装于紧凑的12引脚、3mm x 3mm QFN（无引线四方扁平）表面贴装封装内。其核心架构设计旨在解决毫米波频段传统混频器对高本振（LO）频率和功率的苛刻要求，通过内部集成的倍频器，允许使用频率仅为射频（RF）信号一半的本振源，这显著降低了系统对高频、高功率本振信号发生器的依赖和设计复杂度，同时内部集成的LO缓冲放大器进一步优化了驱动条件。

该器件在24GHz至34GHz的K波段内工作，专门针对VSAT（甚小孔径终端）等点对点无线电通信应用优化。其功能特点突出表现在优异的转换损耗和隔离度性能上，在整个工作频带内能提供稳定的混频增益。作为一款有源次谐波混频器，它集成了核心混频单元、LO倍频与放大链，实现了从LO输入到RF/IF（中频）输出的完整信号路径。其工作仅需单电源供电，电压范围在3V至4V之间，典型供电电流为31mA，功耗控制出色，非常适合对功耗和集成度有严格要求的便携或高密度设备。

在接口与关键参数方面，HMC338LC3BTR-R5提供了标准化的表面贴装接口，便于集成到多层PCB设计中。其射频端口设计匹配至50欧姆，简化了电路板级的阻抗匹配设计。虽然数据手册中未明确标注标准增益和噪声系数值，但其作为有源混频器的架构旨在提供优于无源混频器的转换损耗，并且其设计优化了线性度和动态范围，以满足高数据速率通信系统对信号完整性的要求。稳定的性能表现使其成为需要可靠上变频或下变频功能的毫米波前端关键组件。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过ADI中国代理获取该产品及相关设计资源。

在应用场景上，此芯片是构建现代毫米波通信系统的理想选择。它主要应用于高频段的VSAT卫星通信上行/下行链路、点对点无线回传、以及测试与测量设备中的信号生成与分析模块。在这些场景中，利用其次谐波混频特性，工程师可以选用成本更低、性能更稳定、更易获得的低频段本振源来生成毫米波信号，从而在保证系统性能的同时，有效降低整体BOM成本和设计风险。其卷带（TR）包装也完全适配自动化贴片生产，保障了大规模、高一致性的制造需求。

• 型号:HMC338LC3BTR-R5
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:12-SMT（3x3）
• 类目:射频和无线 > 射频混频器
• 描述:IC MIXER SUB-HARM 24-34GHZ 12SMD
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 射频类型:VSAT
• 频率:24GHz ~ 34GHz
• 混频器数:1
• 增益:-
• 噪声系数:-
• 辅助属性:-
• 电流 - 供电:31mA
• 电压 - 供电:3V ~ 4V
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:12-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:12-SMT（3x3）
• HMC338LC3BTR-R5优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC338LC3BTR-R5是一款由Analog Devices生产的K波段（24GHz至34GHz）有源次谐波混频器，采用12-VFQFN表面贴装封装。该器件专为VSAT等高频通信系统设计，其核心优势在于允许使用频率仅为射频一半的本振信号，大幅降低了对高频、高功率本振源的要求，简化了系统架构并降低了成本。

芯片采用单电源供电，工作电压范围为3V至4V，典型工作电流为31mA，功耗表现高效。它集成了混频核心、本振倍频器及缓冲放大器，提供完整的信号路径解决方案。其紧凑的封装和卷带包装形式，非常适合高密度PCB布局和自动化生产，是毫米波点上变频与下变频应用的可靠选择。