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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:模具
  • 技术参数:IC MIXER SUB-HARMONIC DIE
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HMC338 技术参数详情:

作为一款工作在毫米波频段的射频集成电路,HMC338采用先进的GaAs(砷化镓)pHEMT工艺制造,其核心架构是一个集成本地振荡器(LO)倍频链的次谐波泵浦混频器。这种设计巧妙地利用LO频率的一半来驱动混频器核心,从而有效解决了在极高频率下(如Ku波段和Ka波段)获取稳定、纯净LO信号的工程难题,同时显著降低了对LO驱动功率的要求,简化了系统设计。

该芯片的功能特点十分突出,其工作频率覆盖26GHz至33GHz,专为微波点对点通信、卫星通信以及测试测量设备中的上变频或下变频应用而优化。9dB的典型噪声系数确保了在接收链路中优异的信号灵敏度,而集成的LO倍频器与缓冲放大器则提供了出色的端口隔离度,有效抑制了LO泄漏和射频馈通,提升了系统线性度与动态范围。其供电需求较为简洁,仅需单电源3V至4V电压,典型工作电流为28mA,功耗控制得当,适合对功耗敏感的系统集成。

在接口与关键参数方面,HMC338采用表面贴装型的裸片(Die)形式提供,需要基于陶瓷基板或LTCC进行集成与互连,这为系统设计师提供了高度的布局灵活性,以实现最优的毫米波性能。其射频(RF)、本振(LO)和中频(IF)端口均设计为单端形式,易于匹配。稳定的性能表现使其成为构建紧凑型、高性能毫米波收发前端的理想选择。对于需要可靠供应链与技术支持的设计项目,通过正规的ADI授权代理进行采购是保障产品正品与获取完整技术资料的重要途径。

该器件的典型应用场景广泛,尤其适用于5G毫米波回传、VSAT卫星终端、微波雷达传感器以及高端频谱分析仪等设备。在这些系统中,它能够高效完成频率转换任务,其宽频带特性支持多频段设计,有助于减少物料种类并简化库存管理。凭借亚德诺半导体(ADI)在射频微波领域深厚的技术积累,HMC338在同类产品中展现了出色的性能与可靠性平衡,是工程师应对下一代高频通信与传感挑战的关键元件之一。

  • 型号:HMC338
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:模具
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MIXER SUB-HARMONIC DIE
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 射频类型:通用
  • 频率:26GHz ~ 33GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:9dB
  • 辅助属性:-
  • 电流 - 供电:28mA
  • 电压 - 供电:3V ~ 4V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:模具
  • HMC338优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC338是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能次谐波(Sub-Harmonic)混频器裸片,属于其射频混频器产品系列。该芯片专为26GHz至33GHz的毫米波频段设计,采用单混频器架构,集成了本振倍频与缓冲功能,显著简化了高频系统的本振链路设计。

其核心性能参数包括9dB的典型噪声系数,这为接收机前端提供了优异的信号灵敏度;同时,器件仅需3V至4V的单电源供电,典型工作电流为28mA,具备良好的功耗效率。作为一款表面贴装型裸片,它为毫米波模块的紧凑化与高性能集成提供了灵活的解决方案,适用于点对点无线电、卫星通信及测试仪器等要求严苛的应用领域。

ADRF5024:100 MHz 至 44 GHz 硅 SPDT 反射式开关
LT1219L:精准、轨至轨输入和输出运算放大器
ADRF6601:750 MHz至1160 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO
LT1637:1.1MHz、0.4V/s Over-The-Top 微功率、轨至轨输入和输出运算放大器
HMC943APM5E:>1.5 W (34 dBm) 24 GHz 至 34 GHz GaAs pHEMT MMIC 功率放大器
AD5696:内置I2C接口的四通道、16位nanoDAC+
LTC4156:具 I2C 控制和 USB OTG 功能的双通道输入电源管理器 / 3.5A LiFePO4 电池充电器
ADG3308-1:1.15 V至5.5 V低压、8通道双向逻辑电平转换器
AD8185:310 MHz、25 mA、三通道、缓冲式、2:1多路复用器(G = +2)
HMC562:宽带驱动放大器芯片,2 - 35 GHz
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