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HMC321LP4ETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频开关,封装:24-QFN(4x4)
  • 技术参数:IC RF SWITCH SP8T 8GHZ 24QFN
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HMC321LP4ETR 技术参数详情:

HMC321LP4ETR是一款由ADI(Analog Devices)设计的高性能单刀八掷(SP8T)吸收式射频开关芯片。该器件采用先进的GaAs pHEMT工艺制造,其核心架构集成了高效的开关矩阵与集成的驱动控制逻辑,能够在直流至8GHz的极宽频率范围内实现快速、可靠的信号路径切换。其吸收式拓扑设计确保了在未选通端口呈现良好的匹配特性,有效减少了信号反射,提升了多通道系统的整体稳定性。

该芯片在8GHz测试频率下,能提供高达25dB的端口隔离度,并保持典型的插入损耗仅为2.7dB,这对于维持系统链路的信噪比与动态范围至关重要。其线性度表现突出,1dB压缩点(P1dB)达到23dBm,三阶交调截点(IIP3)更是高达40dBm,使其能够处理高功率信号而引入的失真极小,非常适合应用于对线性度要求苛刻的场合。芯片支持标准的50欧姆和75欧姆系统阻抗,并采用单5V电源供电,简化了外围电路设计。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,并采用紧凑的24引脚VFQFN封装,具有良好的散热性能和空间利用率。

凭借其从直流覆盖到8GHz的超宽带性能、出色的隔离与线性度指标,HMC321LP4ETR广泛应用于测试测量仪器、宽带通信系统、微波雷达以及复杂的多天线切换网络中。例如,在自动化测试设备(ATE)中,它可用于将信号源或分析仪快速路由至多个待测器件;在相控阵雷达或卫星通信系统中,则可用于实现发射与接收通道的切换或波束形成网络的配置。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的ADI芯片代理获取相关的技术支持和库存信息。

  • 型号:HMC321LP4ETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-QFN(4x4)
  • 类目:射频和无线 > 射频开关
  • 描述:IC RF SWITCH SP8T 8GHZ 24QFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:通用
  • 拓扑:吸收
  • 电路:SP8T
  • 频率范围:0Hz ~ 8GHz
  • 隔离:25dB
  • 插损:2.7dB
  • 测试频率:8GHz
  • P1dB:23dBm
  • IIP3:40dBm
  • 特性:-
  • 阻抗:50 欧姆,75 欧姆
  • 电压 - 供电:5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:24-QFN(4x4)
  • HMC321LP4ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC321LP4ETR是ADI推出的一款高性能SP8T吸收式射频开关,工作频率范围覆盖直流至8GHz。该器件在8GHz下具备25dB的高隔离度和仅2.7dB的低插入损耗,能有效保证多通道射频系统的信号完整性与路径纯净度。

其核心优势在于卓越的线性度性能,P1dB为23dBm,IIP3高达40dBm,使其能够从容应对高功率射频环境,显著降低交调失真。芯片采用单5V供电,兼容50/75欧姆阻抗,并采用工业级温度范围和紧凑的24-VFQFN封装,为宽带测试设备、通信基础设施及雷达系统提供了高可靠性的多路切换解决方案。

ADMV4828:24.0 GHz至29.5 GHz发射/接收双极化波束形成器
LT1813:双通道、3mA、100MHz、750V/μs 运算放大器
LTM8021:36VIN、500mA 降压型 DC/DC μModule
LTC2151-14:14 位、210Msps ADC
HMC694LP4:模拟可变增益放大器,采用SMT封装,6 - 17 GHz
LT1365:四通道、70MHz、1000V/μs 运算放大器
HMC630:HBT矢量调制器,采用SMT封装,700 - 1,000 MHz
AD8500:微功耗、精密CMOS运算放大器
ADR4530:超低噪声、高精度3.0V基准电压源
ADR5045:精密、微功耗、分流模式基准电压源(5.0 Vout)
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