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HMC320MS8GE 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频放大器,封装:8-MSOP-EP
  • 技术参数:IC AMP HIPERLAN 5GHZ-6GHZ 8MSOP
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HMC320MS8GE 技术参数详情:

作为一款专为5GHz至6GHz频段设计的射频放大器,HMC320MS8GE采用了先进的GaAs pHEMT工艺技术,构建了其高性能的核心架构。这种架构确保了器件在宽频带内具备优异的线性度和功率效率,其紧凑的8-MSOP封装集成了输入输出匹配网络,极大地简化了外围电路设计,便于工程师实现高集成度的射频前端模块。

该芯片在5GHz至6GHz的工作频段内,提供了12dB的典型增益,同时保持了仅2.5dB的低噪声系数,这对于接收链路灵敏度的提升至关重要。其输出1dB压缩点(P1dB)达到9dBm,结合优化的线性度,使其能够处理较高的输入信号功率而不产生显著失真。器件在单3V电压供电下仅消耗25mA电流,体现了出色的功耗控制能力,非常适合对能效有严格要求的便携式或电池供电设备。

在接口与参数方面,HMC320MS8GE设计为表面贴装型,采用标准的8引脚MSOP封装,便于自动化生产。其射频接口针对50欧姆系统进行了内部匹配,简化了板级设计。该器件主要支持HiperLAN和UNII等无线标准频段,其稳定的性能参数为系统设计提供了可靠的保障。对于需要获取此型号技术资料或库存支持的工程师,可以通过专业的ADI中国代理渠道进行咨询。

鉴于其优异的频率与性能特性,该芯片非常适合应用于5GHz至6GHz频段内的无线通信系统。典型应用场景包括符合HiperLAN标准的无线局域网(WLAN)接入点与客户端设备、工作在UNII频段的点对点无线桥接以及各类宽带无线接入系统。它既可作为低噪声放大器(LNA)用于提升接收机灵敏度,也可作为驱动放大器用于发射链路,其平衡的性能使其成为该频段射频前端设计中一个高效、紧凑的解决方案。

  • 型号:HMC320MS8GE
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-MSOP-EP
  • 类目:射频和无线 > 射频放大器
  • 描述:IC AMP HIPERLAN 5GHZ-6GHZ 8MSOP
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:停产
  • 频率:5GHz ~ 6GHz
  • P1dB:9dBm
  • 增益:12dB
  • 噪声系数:2.5dB
  • 射频类型:HiperLAN,UNII
  • 电压 - 供电:3V
  • 电流 - 供电:25mA
  • 测试频率:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)焊盘
  • 供应商器件封装:8-MSOP-EP
  • HMC320MS8GE优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC320MS8GE是ADI(Analog Devices)推出的一款面向5GHz至6GHz频段的射频放大器芯片,采用8-MSOP表面贴装封装。该器件专为HiperLAN和UNII等无线标准优化,集成了输入输出匹配,极大简化了电路设计。

其核心性能表现为在宽频带内提供12dB的稳定增益,同时噪声系数低至2.5dB,确保了优异的接收灵敏度。在3V单电源供电下,功耗仅为25mA,输出1dB压缩点达到9dBm,在功耗、线性度与噪声性能之间取得了良好平衡,非常适合高集成度的无线通信设备前端应用。

AD5425:8位、高带宽、串行接口乘法DAC
ADIS16505:精密微型 MEMS IMU
LT3012:250mA、4V 至 80V 低压差微功率稳压器
HMC767:集成VCO 的小数N分频PLL,采用SMT封装,8.45 - 9.55 GHz
LTC1730:具过流保护功能的锂离子电池脉冲充电器
HMC859:提供复位功能和可编程输出电压的26 GHz 8分频器件,采用SMT封装
ADG2188:I2C CMOS S 8 × 8无缓冲模拟开关阵列,采用双/单电源供电
ADP160:超低静态电流、150 mA、CMOS线性调节器,提供1.2V至4.2V范围内的15种固定输出电压选项
AD9865:宽带调制解调器混合信号前端
LT4293:LTPoE++/IEEE 802.3bt PD 接口控制器
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