
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:8-MSOP
- 技术参数:IC MIXER HI-IP3 DBL-BAL 8-MSOP
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HMC316MS8ETR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能、双平衡有源混频器芯片,采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,专为1.5GHz至3.8GHz频段的高线性度射频应用而优化。该器件集成了本振(LO)缓冲放大器与射频(RF)和中频(IF)端口间的双平衡混频核心,其架构有效抑制了偶次谐波和本振泄漏,确保了优异的端口间隔离度,为复杂射频链路提供了稳定可靠的频率转换基础。
该混频器的核心优势在于其卓越的线性度性能,典型输入三阶交调截点(IP3)高达+25dBm,使其能够在存在强干扰信号的环境中维持高保真的信号转换,显著提升接收机的动态范围和抗阻塞能力。同时,其噪声系数为8dB,在同类有源混频器中处于优秀水平,兼顾了系统对灵敏度的要求。作为一款有源器件,它内置了本振驱动放大器,仅需0dBm的较低本振驱动功率即可实现满性能工作,简化了系统设计并降低了对外部驱动电路的要求。
在接口与参数方面,HMC316MS8ETR采用紧凑的8引脚MSOP表面贴装封装,便于高密度PCB布局。其工作频率覆盖L波段至S波段,支持上变频和下变频操作,具有极宽的IF带宽,直流至3.8GHz的中频输出能力为系统设计提供了极大的灵活性。虽然该器件为有源设计,但其供电需求已集成在内部优化电路中,外部仅需提供单电源电压,简化了供电网络设计。对于需要可靠供应链支持的客户,通过专业的ADI一级代理商进行采购,是获取原厂正品和技术支持的重要渠道。
基于其高线性度、宽频带和集成化的特点,该芯片非常适合应用于对性能要求苛刻的无线基础设施,如蜂窝通信基站(特别是LTE和早期4G系统)的收发信机、点对点微波无线电链路以及军用通信和电子对抗(ECM)系统中的上/下变频模块。此外,在测试测量设备,如频谱分析仪和信号发生器的频率扩展单元中,它也能发挥关键作用。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有系统和特定备件需求中,它仍然是一个经典且经过验证的高性能解决方案。
- 型号:HMC316MS8ETR
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-MSOP
- 类目:射频和无线 > 射频混频器
- 描述:IC MIXER HI-IP3 DBL-BAL 8-MSOP
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 射频类型:通用
- 频率:1.5GHz ~ 3.8GHz
- 混频器数:1
- 增益:-
- 噪声系数:8dB
- 辅助属性:升/降频器
- 电流 - 供电:-
- 电压 - 供电:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 供应商器件封装:8-MSOP
- HMC316MS8ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
HMC316MS8ETR是ADI推出的一款高性能双平衡有源混频器,工作频率覆盖1.5GHz至3.8GHz的射频范围。该芯片采用8-MSOP表面贴装封装,专为需要高线性度和优异端口隔离度的通用射频应用设计。
其核心卖点在于极高的输入三阶交调截点(IP3)和8dB的噪声系数,确保了在强信号环境下出色的动态范围和信号保真度。作为有源混频器,它集成了本振缓冲放大器,仅需0dBm的低驱动功率,并支持从直流到3.8GHz的宽中频带宽,为上变频和下变频应用提供了高度的设计灵活性。



















