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HMC277MS8ETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:8-MSOP
  • 技术参数:IC MIXER SGL 0.7-1.2GHZ 8MSOP
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HMC277MS8ETR 技术参数详情:

HMC277MS8ETR是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能单片微波集成电路(MMIC)混频器,采用紧凑的8引脚MSOP封装,专为700MHz至1.2GHz频段的射频信号处理而设计。该芯片集成了一个平衡混频器核心,采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,确保了在宽频带范围内的高线性度和低噪声性能。其架构基于双平衡设计,能够有效抑制本振(LO)泄漏和偶次谐波产物,从而简化了系统设计中对滤波器的要求,并提升了整体信号链路的纯净度。

该器件具备出色的射频性能,其噪声系数典型值为9dB,在通用射频应用中提供了良好的信号灵敏度。作为一款升/降频器,它支持上变频和下变频操作,具备高度的功能灵活性。其宽工作频率范围覆盖了L波段及部分S波段,使其能够适应多种通信标准。芯片采用表面贴装形式,便于集成到高密度的PCB布局中,其卷带包装也适合自动化贴片生产,提升了制造效率。虽然该产品目前已处于停产状态,但在其生命周期内,它凭借可靠的性能和AD/ADI一贯的高品质,在业界建立了良好的声誉,用户仍可通过授权的ADI代理渠道获取库存或寻找替代方案。

在接口与参数方面,HMC277MS8ETR设计简洁,主要端口包括射频(RF)、本振(LO)和中频(IF)。其双平衡混频器结构确保了端口间良好的隔离度,减少了相互干扰。该器件为无源混频器,因此无需外部直流偏置,简化了供电设计。其工作特性使其能够在单电源或双电源系统中灵活配置,虽然具体供电电流和电压参数未在通用规格中明确列出,但其典型应用电路在数据手册中提供了清晰的参考设计。

这款混频器典型的应用场景包括点对点无线电通信、卫星通信终端、军用雷达系统以及测试测量设备中的频率转换单元。其宽频带特性使其非常适合用于需要覆盖多个频段的软件定义无线电(SDR)平台或宽带接收机前端。在无线基础设施中,它可用于中频模块的上/下变频。尽管已停产,对于现有系统的维护、备件采购或特定历史项目的设计参考,理解其技术特性和性能边界仍然具有重要价值。

  • 型号:HMC277MS8ETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-MSOP
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MIXER SGL 0.7-1.2GHZ 8MSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:通用
  • 频率:700MHz ~ 1.2GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:9dB
  • 辅助属性:升/降频器
  • 电流 - 供电:-
  • 电压 - 供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-MSOP
  • HMC277MS8ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC277MS8ETR是AD/ADI公司生产的一款通用型单片射频混频器,工作频率覆盖700MHz至1.2GHz。该器件采用8-MSOP表面贴装封装,以卷带形式供货,集成了一个双平衡混频器,支持上变频和下变频操作,适用于灵活的频率转换需求。

其核心性能参数包括9dB的典型噪声系数,这为接收链路提供了良好的信号灵敏度。作为一款无源混频器,它无需直流供电即可工作,简化了系统电源设计。该芯片的宽频带特性和平衡架构使其能有效抑制本振泄漏和杂散响应,适合集成于对尺寸和性能有要求的射频前端模块中。

ADXC1501:组合式陀螺仪和三轴加速度计
LTC3541:高效率降压 + VLDO 稳压器
HMC7586:71 GHz至76 GHz,E频段I/Q下变频器
AD9522-5:12 LVDS/24 CMOS Output Clock Generator
LTC1706-85:用于 Intel VRM 8.5 的 VID 电压编程器
LTC1069-7:线性相位 8 阶低通滤波器
ADL5723:10.1 GHz至11.7 GHz、低噪声放大器
AD8056:双路、低成本、300 MHz电压反馈型放大器
ADUC816:精密模拟微控制器: 1MIPS 8052 MCU + 8kB闪存 + 双路16位ADC + 12位DAC
LTC4332:基于坚固型差分链路的 SPI 扩展器
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