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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:12-SMT(3x3)
  • 技术参数:IC MIXER SUB-HARMONIC 12SMD
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HMC264LC3BTR 技术参数详情:

HMC264LC3BTR是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能次谐波(Sub-Harmonic)混频器芯片,采用先进的GaAs(砷化镓)MMIC(单片微波集成电路)工艺制造。该器件专为毫米波频段设计,其核心架构集成了一个平衡的次谐波混频单元,利用本振(LO)信号的二次谐波进行频率变换,从而有效降低了系统对本振源频率和相位噪声的要求。这种设计在维持高线性度的同时,显著简化了高频系统中的本振链路设计复杂度,尤其适用于对成本和性能有严格平衡要求的应用。

该混频器在21GHz至31GHz的射频(RF)频率范围内工作,覆盖了K波段和部分Ka波段,其典型噪声系数为9dB,在次谐波混频器中表现出优异的噪声性能。器件采用单电源供电,工作电压范围为3V至4V,典型供电电流为28mA,整体功耗控制在较低水平,有利于提升系统能效。集成的LO缓冲放大器确保了良好的端口隔离度和稳定的驱动能力,而内部匹配至50欧姆的射频和中频端口则极大简化了外围电路设计,减少了外部匹配元件的需求,有助于实现紧凑的PCB布局。

在接口与参数方面,HMC264LC3BTR采用表面贴装型的12引脚VFQFN封装,兼容卷带(TR)和剪切带(CT)包装,适合高吞吐量的自动化贴装生产。其射频和中频端口均设计为直流耦合,提供了灵活的信号处理能力。稳定的性能表现使其能够在宽温范围内可靠工作,满足工业级应用的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理商获取该器件及相关设计资源。

得益于其宽频带和高性能特性,该芯片非常适合应用于点对点无线通信回传、微波雷达传感器、卫星通信终端以及测试测量设备等场景。在毫米波5G基础设施、汽车雷达和航天电子系统中,它能作为关键的前端下变频组件,将高频信号高效地转换至较低的中频,便于后续的信号采集与处理。其紧凑的封装和简化的应用设计,为开发高频率、高集成度的射频模块提供了可靠的解决方案。

  • 型号:HMC264LC3BTR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:12-SMT(3x3)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MIXER SUB-HARMONIC 12SMD
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 射频类型:通用
  • 频率:21GHz ~ 31GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:9dB
  • 辅助属性:-
  • 电流 - 供电:28mA
  • 电压 - 供电:3V ~ 4V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:12-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:12-SMT(3x3)
  • HMC264LC3BTR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC264LC3BTR是ADI公司生产的一款表面贴装次谐波混频器MMIC芯片,属于其射频混频器产品系列。该器件工作于21GHz至31GHz的毫米波频段,采用3V至4V单电源供电,典型电流消耗为28mA,实现了功耗与性能的良好平衡。

其核心优势在于采用次谐波混频架构,利用本振信号的二次谐波进行下变频,这降低了对本振源频率和相位噪声的要求,简化了系统设计。芯片具有9dB的噪声系数,在宽频带内提供了优异的噪声性能,并且射频与中频端口内部匹配至50欧姆,极大减少了外部元件数量。这些特性使其成为点对点通信、雷达和测试设备等高频率应用中的理想下变频解决方案。

LTC5509:采用 SC70 封装的 300MHz 至 3GHz RF 功率检波器
ADG611:1 pC的超低电荷注入, 100 pA的泄漏电流,CMOS、±5 V/5 V/3 V、四通道单刀单掷开关
HMC365G8:InGaP HBT 4分频SMT封装,DC - 13 GHz
ADG5234:高压防闩锁型、四通道SPDT开关
LT4200:具有保证SOA的50A热插拔电子保险丝(E-Fuse)
LT6220:单通道、60MHz、20V/μs、低功率、轨至轨输入和输出高精度运算放大器
LTC2484:具 Easy Drive 输入电流抵消功能的 24 位 ΔΣ ADC
AD9726:16位、400 MSPS TxDAC+数模转换器
LT3020:100mA、低电压、非常低压差线性稳压器
ADP1763:3 A、低VIN、低噪声、CMOS线性稳压器
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