作为一款工作在毫米波频段的射频混频器，HMC264LC3B采用了先进的GaAs（砷化镓）pHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）工艺技术构建其核心架构。这种架构设计使其能够在21GHz至31GHz的极宽频带内实现高效的频率转换，其核心是一个集成的次谐波泵浦（Sub-Harmonically Pumped， SHP）混频器。次谐波泵浦架构利用本振（LO）信号的二次谐波进行混频，这意味着所需的LO频率仅为射频（RF）信号频率的一半，这极大地简化了系统设计，特别是在高频段，一个稳定、低相噪的高频LO源的设计成本和复杂度会显著降低。

该芯片的功能特点十分突出。其噪声系数典型值仅为9dB，在如此高的频段下提供了优异的接收灵敏度，这对于雷达接收机或通信系统的链路预算至关重要。它集成了片上LO倍频器和巴伦（Balun）结构，实现了单端RF和LO端口输入，以及差分中频（IF）输出，简化了外部阻抗匹配和电路布局。芯片在单电源+3V至+4V电压下工作，典型功耗仅为28mA，体现了高效能的设计理念。其表面贴装的12引脚3x3mm QFN封装（12-VFQFN）具有优异的热性能和紧凑的占板面积，非常适合高密度集成应用。

在接口与关键参数方面，HMC264LC3B提供了明确的性能边界。其RF和LO端口均设计为50欧姆匹配，工作频率覆盖K波段和部分Ka波段（21-31GHz）。LO驱动功率要求适中，典型值为+13dBm，便于与常见的MMIC（单片微波集成电路）放大器驱动级联。中频（IF）输出带宽可达DC至5GHz，为宽带信号处理提供了灵活性。稳定的性能表现使其成为需要从可靠的ADI代理商处获取正品元器件的工程师们的理想选择。

基于其卓越的高频性能和集成度，该芯片主要面向对频率和尺寸有严苛要求的尖端应用场景。它是点对点微波通信、卫星通信上行/下行链路、VSAT（甚小孔径终端）以及测试测量设备中上/下变频器的核心组件。在军事和航空航天领域，如电子战（EW）系统、雷达导引头以及成像系统中，其宽频带、低噪声和次谐波泵浦架构带来的LO频率优势，能够有效提升系统整体性能并简化射频前端设计。

• 型号:HMC264LC3B
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:12-SMT（3x3）
• 类目:射频和无线 > 射频混频器
• 描述:IC MIXER SUB-HARMONIC 12SMD
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:在售
• 射频类型:通用
• 频率:21GHz ~ 31GHz
• 混频器数:1
• 增益:-
• 噪声系数:9dB
• 辅助属性:-
• 电流 - 供电:28mA
• 电压 - 供电:3V ~ 4V
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:12-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:12-SMT（3x3）
• HMC264LC3B优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC264LC3B是一款由Analog Devices（ADI）公司生产的次谐波泵浦（SHP）单片微波集成电路（MMIC）混频器。该器件采用GaAs pHEMT工艺，专为21GHz至31GHz（K/Ka波段）的高频应用而设计，其核心优势在于利用LO信号的二次谐波进行混频，从而将所需的本振频率降低一半，显著简化了高频系统的LO链设计。

该混频器在单+3V至+4V电源供电下，仅消耗28mA电流，实现了低功耗运行。其噪声系数典型值为9dB，在毫米波频段提供了出色的接收机灵敏度。芯片集成了LO倍频器和巴伦，提供单端RF/LO输入和差分IF输出（带宽DC-5GHz），所有端口均内匹配至50欧姆，并采用紧凑的3x3mm QFN表面贴装封装，便于集成到高密度射频模块中。