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HMC253QS24ETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频开关,封装:24-QSOP
  • 技术参数:IC RF SWITCH SP8T 2.5GHZ 24QSOP
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HMC253QS24ETR 技术参数详情:

HMC253QS24ETR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的单刀八掷(SP8T)吸收式射频开关芯片。该器件采用紧凑的24引脚QSOP封装,其核心架构基于高性能的GaAs(砷化镓)工艺技术,实现了从直流(0Hz)到2.5GHz的宽频带覆盖。其吸收式拓扑结构确保了在未选通的端口上呈现良好的匹配特性,有效减少了信号反射,提升了系统在复杂多通道切换环境下的稳定性与可靠性。

在功能特性上,该开关在2.5GHz测试频率下表现出色,具备1.8dB的低插入损耗28dB的高端口隔离度。低插损意味着信号通过开关时的衰减极小,有助于维持系统链路预算;高隔离度则能有效抑制通道间的串扰,对于需要高精度信号路由的应用至关重要。此外,其23dBm的P1dB压缩点43dBm的输入三阶交调截点(IIP3)指标,赋予了芯片优秀的线性度与功率处理能力,使其能够从容应对中等功率的射频信号而不会引入明显的失真。

该芯片采用标准的50欧姆阻抗设计,与绝大多数射频系统无缝兼容。其接口控制逻辑简洁,支持TTL/CMOS电平,通过5V单电源供电即可工作,极大简化了外围电路设计。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的ADI芯片代理获取该产品的库存与技术支援服务。

凭借其宽频带、高隔离、低损耗和良好的线性度,HMC253QS24ETR非常适合应用于测试与测量设备(如ATE、频谱分析仪)、无线通信基础设施(如基站的多天线切换)、以及军工电子系统中的射频信号路由与矩阵切换。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有系统和备件供应中,它依然是一款经过市场验证的关键射频元件。

  • 型号:HMC253QS24ETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-QSOP
  • 类目:射频和无线 > 射频开关
  • 描述:IC RF SWITCH SP8T 2.5GHZ 24QSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:通用
  • 拓扑:吸收
  • 电路:SP8T
  • 频率范围:0Hz ~ 2.5GHz
  • 隔离:28dB
  • 插损:1.8dB
  • 测试频率:2.5GHz
  • P1dB:23dBm
  • IIP3:43dBm
  • 特性:-
  • 阻抗:50 欧姆
  • 电压 - 供电:5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-SSOP(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:24-QSOP
  • HMC253QS24ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC253QS24ETR是ADI公司推出的一款高性能SP8T吸收式射频开关,采用24引脚QSOP封装。其核心优势在于覆盖直流至2.5GHz的宽频率范围,并在2.5GHz下实现了1.8dB的低插入损耗和28dB的高通道隔离,确保了信号传输的高效性与纯净度。

该器件具备优异的线性度表现,P1dB达23dBm,IIP3高达43dBm,能够处理中等功率信号而不引入显著失真。它采用5V单电源供电,工作温度范围为-40°C至85°C,标准50欧姆阻抗设计,易于集成到各类射频系统中,适用于测试测量、通信基础设施等需要多路射频信号精确切换的场合。

AD5542:2.7 V至5.5 V、串行输入、电压输出、16位DAC
AD7921:双通道、2.35 V至5.25 V、250 kSPS、12位ADC
HMC465LP5:宽带驱动放大器,采用SMT封装,DC - 20 GHz
HMC630:HBT矢量调制器,采用SMT封装,700 - 1,000 MHz
HMC907ALP5E:功率放大器
LTC2053:可利用电阻器进行设置的精准、轨至轨、零漂移仪表放大器
AD8582:+5 V、并行输入、完整双通道12位DAC
ADF5610:带集成 VCO 的微波宽带频率合成器
HMC341LC3B:低噪声放大器,采用SMT封装,21 - 29 GHz
ADM238L:低功耗、+5V CMOS RS-232 100kBPS收发器,内置4个驱动器和4个接收器
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