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HMC188MS8E 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块,封装:8-MSOP
  • 技术参数:IC DOUBLER PASSIVE FREQ 8-MSOP
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HMC188MS8E 技术参数详情:

作为一款专为射频系统设计的无源倍频器,HMC188MS8E采用了基于肖特基二极管的平衡式倍频架构。这种架构通过对称的电路设计,有效地抑制了输入基频信号及其奇次谐波,从而在输出端获得纯净的二次谐波。其无源设计意味着器件本身无需外部直流偏置,简化了系统电源设计,同时带来了固有的高可靠性和优异的温度稳定性。芯片内部集成了输入/输出匹配网络以及必要的滤波结构,确保在宽频带范围内实现高效的频率转换。

该器件在1.25GHz至3GHz的输入频率范围内工作,能够产生2.5GHz至6GHz的输出信号,覆盖了HiperLANUNII等重要的无线通信频段。其核心优势在于极低的附加相位噪声,倍频过程对源信号相位噪声的恶化极小,这对于需要高信号纯度的本振链设计至关重要。此外,它提供了良好的输入/输出隔离度,有效减少了输出信号对输入源的干扰。其表面贴装型的8-MSOP封装,尺寸紧凑(3.00mm宽),非常适合高密度的PCB布局,工程师可以通过正规的ADI代理商获取完整的技术支持和物料供应。

在接口与关键参数方面,HMC188MS8E作为一款无源器件,其接口相对简洁,主要关注射频输入(RFIN)和射频输出(RFOUT)端口。为了实现最佳性能,端口需要在其工作频段内进行良好的50欧姆匹配。它的转换损耗是一个关键指标,在指定频带内保持在一个典型值,这直接影响了整个链路的增益预算。虽然该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的性能,使其在既有系统维护或特定需求设计中仍具参考价值。

在应用层面,这款倍频器典型应用于需要将较低频率、高性能的晶体振荡器或VCO信号倍频至更高频段的场景。例如,在点对点无线电、卫星通信上行链路、微波测试设备以及高端无线局域网接入点的本振生成单元中,它常被用作频率合成链中的关键一环。其出色的频谱纯度特性,使其特别适合用于对相位噪声和杂散抑制要求严苛的通信和测量系统,为系统提供稳定、纯净的高频本振信号源。

  • 型号:HMC188MS8E
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-MSOP
  • 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
  • 描述:IC DOUBLER PASSIVE FREQ 8-MSOP
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:停产
  • 功能:倍增器
  • 频率:1.25GHz ~ 3GHz
  • 射频类型:HiperLAN,UNII
  • 辅助属性:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-MSOP
  • HMC188MS8E优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC188MS8E是亚德诺半导体(ADI)推出的一款无源倍频器芯片,采用8-MSOP表面贴装封装。该器件设计用于在1.25GHz至3GHz的输入频率范围内,高效地将输入信号频率倍增一倍,输出覆盖2.5GHz至6GHz频段,直接支持HiperLAN和UNII等无线通信标准。

其核心卖点在于基于肖特基二极管的平衡式无源架构,无需直流偏置即可工作,从而提供了高可靠性和卓越的温度稳定性。该设计在实现频率转换的同时,能有效抑制基频和奇次谐波,并保持极低的附加相位噪声,确保输出信号的频谱纯度,非常适用于对相位噪声性能要求苛刻的本振链设计。

LTC4372:低静态电流理想二极管控制器
AD5504:高压、四通道12位电压输出DAC
AD8079:Dual 260 MHz Gain = +2.0 & +2.2 Buffer
AD7836:单芯片、四通道、14位CMOS DAC
AD7948:+3.3 V/+5 V、8位字节接口、12位乘法DAC
LTC2862A:具 Level 4 IEC ESD 防护等级和 ±60V 故障保护功能的 3V 至 5.5V RS485 / RS422 收发器
AD5791:1ppm、20位、±1 LSB INL、电压输出DAC
LTC2986:具有EEPROM的多传感器高精度数字温度测量系统
ADA4522-4:四通道55 V、EMI增强型、零漂移、超低噪声、轨到轨输出运算放大器
ADUM4150:用于SPI高速接口的5kV专用隔离器(1/1辅助通道方向性)
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