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HMC187AMS8TR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块,封装:8-MSOP
  • 技术参数:IC DOUBLER PASSIVE FREQ 8MSOP
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HMC187AMS8TR 技术参数详情:

HMC187AMS8TR是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能无源倍频器芯片,采用紧凑的8引脚MSOP封装,专为射频系统设计。该器件基于无源肖特基二极管倍频架构,无需外部直流偏置即可工作,简化了系统电源设计并提高了可靠性。其核心设计通过优化的巴伦结构和匹配网络,在宽频带范围内实现了高效的二次谐波生成,同时有效抑制了基波和其他杂散信号,确保了输出频谱的纯净度。

该芯片的工作频率覆盖850MHz至2GHz,能够处理HiperLAN和UNII等主流无线通信标准频段的信号。其无源工作特性带来了极低的功耗和出色的温度稳定性,非常适合对功耗和热管理有严格要求的应用。此外,高隔离度良好的转换损耗性能使其在信号链中能够有效减少对前后级电路的干扰,提升整体系统线性度。其表面贴装型设计和卷带包装也符合现代自动化生产的需求,便于大规模集成。

在接口与参数方面,HMC187AMS8TR采用标准的50欧姆输入输出阻抗,易于与常见的射频组件匹配连接。其封装为8-TSSOP/MSOP,宽度仅为3.00mm,极大地节省了电路板空间。虽然该零件状态已标注为停产,但在许多现有设计和备件供应中仍具参考价值,用户可通过可靠的ADI代理获取相关库存或替代方案咨询。关键电气参数如转换损耗、隔离度和谐波抑制比均在数据手册中有详细规定,工程师需根据具体应用频点进行精确评估。

这款倍频器典型应用于需要频率变换的无线基础设施、点对点无线电、卫星通信上行链路以及测试测量设备中。例如,在本地振荡器链中,它可将较低频率的VCO信号倍频至所需的高频LO,从而简化频率合成器的设计。其宽频带特性也使其适用于多频段、多标准的软件定义无线电平台。尽管已停产,其成熟的设计和性能表现使其技术方案在特定领域仍具有持续的参考和沿用价值。

  • 型号:HMC187AMS8TR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-MSOP
  • 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
  • 描述:IC DOUBLER PASSIVE FREQ 8MSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 功能:倍增器
  • 频率:850MHz ~ 2GHz
  • 射频类型:HiperLAN,UNII
  • 辅助属性:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-MSOP
  • HMC187AMS8TR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC187AMS8TR是亚德诺半导体(ADI)生产的一款无源倍频器集成电路,属于其RF IC和模块系列。该器件采用8-MSOP表面贴装封装,以卷带形式提供,功能是将输入射频信号的频率进行倍增。

其核心卖点在于覆盖850MHz至2GHz的宽频率工作范围,兼容HiperLAN和UNII等射频类型。作为一款无源器件,它无需直流偏置即可工作,具备结构简单、可靠性高的特点。该芯片为需要频率变换的射频系统提供了一个紧凑、高效的解决方案。

HMC-C025:0.5dB LSB 6位数字衰减器模块,DC - 13 GHz
CMP04:四路低功耗、精密比较器
LTC1663:具二线式接口的 10 位轨至轨微功率 DAC
AD8302:2.7 GHzRF/IF增益相位检波器
ADR443:超低噪声、3.0V LDO XFET基准电压源,具有吸电流和源电流能力
HMC602:70 dB对数检波器/控制器,采用SMT封装,1 - 8,000 MHz
AD537S:航天航空用电压频率转换器,±30V至150kHz
AD7985:16位、2.5 MSPS、11 mW PulSAR ADC,采用QFN封装
HMC702:集成扫频器的14 GHz 16位小数N分频PLL
LT6402-20:300MHz 低失真、低噪声差分放大器 / ADC 驱动器 (AV = 20dB)
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