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HMC144LH5TR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:12-CSMT(5x5)
  • 技术参数:IC MIXER DBL-BAL 3.4GHZ 12SMD
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HMC144LH5TR 技术参数详情:

HMC144LH5TR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的宽带、双平衡有源混频器芯片,采用先进的GaAs(砷化镓)pHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)工艺制造。该芯片的核心架构集成了优化的射频(RF)、本振(LO)和中频(IF)巴伦(Balun)结构,实现了从直流到20GHz的极宽工作带宽。其内部集成的有源增益级有效补偿了混频过程的转换损耗,同时双平衡设计提供了出色的端口间隔离度,特别是本振至射频以及本振至中频的隔离性能,这对于抑制杂散信号和减少系统设计中的滤波需求至关重要。

该器件在6GHz至20GHz的射频/本振频率范围内表现出卓越的性能,典型转换损耗为7dB,同时具备11dB的噪声系数,这对于维持接收链路的高信噪比至关重要。作为一款有源混频器,它无需外部直流偏置电路,简化了系统设计。其表面贴装型的12引脚CSMD封装具有优异的散热性能和紧凑的占板面积,非常适合高密度集成应用。虽然该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定存量系统和备件市场中仍有需求,用户可通过专业的ADI一级代理商渠道进行咨询和采购。

在接口与参数方面,HMC144LH5TR支持上变频和下变频操作,为通用型射频混频器。其射频和本振端口均设计为单端50欧姆匹配,简化了板级阻抗匹配设计。宽泛的工作频率范围使其能够灵活应对S、C、X、Ku乃至部分K波段的信号处理需求。尽管产品资料中未明确标注供电电流与电压,但其有源集成的特性意味着需要单电源供电,典型应用电路在数据手册中有明确指导。

该芯片典型的应用场景包括点对点无线电通信、卫星通信终端、微波无线电链路、测试与测量设备以及军用电子战(EW)和雷达系统。其宽带特性特别适用于需要覆盖多个频段或要求频率捷变能力的系统。在发射链路中,它可用于将中频信号上变频至微波频段;在接收链路中,则可将高频信号下变频至易于处理的中频。其高隔离度和良好的线性度有助于提升整个收发系统的动态范围和抗干扰能力。

  • 型号:HMC144LH5TR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:12-CSMT(5x5)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MIXER DBL-BAL 3.4GHZ 12SMD
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:通用
  • 频率:6GHz ~ 20GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:11dB
  • 辅助属性:升/降频器
  • 电流 - 供电:-
  • 电压 - 供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:12-LCQFN
  • 供应商器件封装:12-CSMT(5x5)
  • HMC144LH5TR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC144LH5TR是ADI推出的一款宽带双平衡有源混频器,采用表面贴装型12-CSMD封装。该器件专为6GHz至20GHz的高频应用设计,覆盖S至Ku波段,支持上变频和下变频操作,适用于需要宽频带工作的通用射频系统。

其核心性能优势在于集成了有源增益级,典型转换损耗为7dB,并实现了11dB的噪声系数,有助于优化接收链路的灵敏度。双平衡架构确保了出色的端口隔离度,能有效抑制本振泄漏和杂散响应,简化系统滤波设计。作为一款成熟解决方案,它为微波无线电、卫星通信及测试测量设备提供了高集成度的混频功能。

ADM708:3 V电压监控微处理器监控电路
HMC435A:SPDT非反射式开关,DC - 4 GHz
HMC-ALH140:低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz
HMC532:采用SMT封装的VCO,带有缓冲放大器,7.1 - 7.9 GHz
HMC441LC3B:中等功率放大器,采用SMT封装,6 - 18 GHz
ADUM2402:四通道数字隔离器
LTC2310-16:具宽输入共模范围的 16 位、2Msps 差分输入 ADC
AD5621:2.7V至5.5V、小于100 A、12位nanoDAC,SPI接口,采用LFCSP和SC70封装
ADUM7702:16 位隔离型 Σ-Δ 调制器
ADP5080:具有 6 通道 DC/DC 和两个 LDO 的小型 15 V PMU,适合多单元锂电池应用
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