
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:8-SOIC
- 技术参数:IC MMIC MIXER DBL-BAL CERMIC
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HMC141C8是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计生产的单片微波集成电路(MMIC)双平衡混频器,采用陶瓷封装。该器件采用成熟的GaAs(砷化镓)工艺制造,其核心架构基于肖特基二极管环形混频器设计,这种拓扑结构能够提供出色的端口间隔离度,并有效抑制本振(LO)和射频(RF)信号的偶次谐波,从而在宽频带范围内实现稳定的变频性能。
该混频器的工作频率覆盖6GHz至15GHz的Ku波段,属于通用型射频器件,既可用作上变频器,也可用作下变频器。其关键特性包括典型噪声系数为10.5dB,这使其在接收链路中能够保持良好的信号灵敏度。虽然其增益参数未明确标注,但作为无源混频器,其变频损耗性能在同类产品中具备竞争力。其双平衡设计确保了出色的本振至射频(LO-RF)和本振至中频(LO-IF)隔离度,这极大地简化了系统设计,减少了对额外滤波器的需求,并有助于抑制杂散信号。
在接口与参数方面,HMC141C8采用标准的8引脚SOIC表面贴装封装,宽度为3.90mm,适合高密度PCB布局和自动化贴装生产。其供电电压和电流参数未指定,这符合典型无源混频器的特征,意味着它本身不需要外部直流偏置即可工作,简化了电源设计。对于需要稳定供货渠道的客户,可以通过专业的ADI芯片代理获取相关技术支持和库存信息。需要注意的是,该器件目前处于停产状态,在新设计中需评估替代方案或库存可用性。
得益于其宽频带和稳健的性能,该芯片非常适合应用于点对点无线电、卫星通信、军用电子战(EW)系统以及测试测量设备等场景。在雷达前端、微波无线电中继等系统中,它能可靠地完成频率转换任务。其陶瓷封装提供了良好的热稳定性和机械可靠性,能够适应苛刻的环境要求。
- 型号:HMC141C8
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:射频和无线 > 射频混频器
- 描述:IC MMIC MIXER DBL-BAL CERMIC
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 射频类型:通用
- 频率:6GHz ~ 15GHz
- 混频器数:1
- 增益:-
- 噪声系数:10.5dB
- 辅助属性:升/降频器
- 电流 - 供电:-
- 电压 - 供电:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC
- HMC141C8优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
HMC141C8是亚德诺半导体(ADI)推出的一款MMIC双平衡混频器,采用陶瓷8-SOIC表面贴装封装。该器件设计用于6GHz至15GHz(Ku波段)的通用射频应用,支持上变频和下变频功能。
其核心优势在于基于肖特基二极管环的双平衡架构,这带来了优异的端口隔离性能,能有效抑制本振泄漏和杂散响应。器件标称噪声系数为10.5dB,在宽频带内提供了稳定的变频特性。作为无需直流供电的无源混频器,它简化了系统电源设计。



















