HMC1168LP5E是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能、宽频带压控振荡器（VCO）芯片。该器件采用先进的GaAs HBT MMIC工艺制造，集成了谐振电路、变容二极管和负阻有源器件于单一芯片，构成了一个高度集成的微波信号源核心。其设计实现了从6.235 GHz至6.86 GHz以及12.47 GHz至13.72 GHz的双频段覆盖，中心频率分别为6.5475 GHz和13.095 GHz，为系统设计提供了灵活的频率选择方案。

该VCO具备出色的电气性能，其调谐电压范围宽达2V至13V，配合典型的2 MHz/V的调谐灵敏度，能够实现精确的频率控制。在输出功率方面，HMC1168LP5E在低频段典型输出为2.5 dBm，在高频段典型输出为10.5 dBm，且均具有±3.5 dBm的容差，确保了稳定的信号驱动能力。其相位噪声典型值为-85 dBc/Hz，二次谐波抑制典型值为17 dBc，这些指标对于维持通信链路的信号纯净度和系统整体动态范围至关重要。器件采用单5V电源供电，最大工作电流为240mA，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作。

在接口与封装层面，HMC1168LP5E采用了紧凑的32引脚、5mm x 5mm QFN（四方扁平无引线）封装，这种CSP（芯片级封装）形式极大地节省了PCB空间，非常适合高密度集成的微波模块设计。其外围电路简洁，通常只需配置电源去耦、调谐电压滤波以及射频输出匹配网络即可工作，显著降低了系统设计的复杂性和物料成本。对于需要可靠供应链保障的客户，通过正规的ADI授权代理进行采购，是确保获得原装正品和完整技术支持的关键。

基于其优异的性能与集成度，HMC1168LP5E非常适用于点对点及点对多点微波无线电、军用电子战（EW）系统、测试与测量设备以及卫星通信终端等高端应用场景。它能够作为这些系统中的本振（LO）源，为频率转换链路提供核心的微波信号，其宽频带特性也有助于简化多频段或可重构射频前端的架构设计。

• 型号:HMC1168LP5E
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:
• 类目:晶体，振荡器，谐振器 > VCO（压控振荡器）
• 描述:VCO 6.5475/13.095GHZ 2-13V 5X5MM
• 包装:带
• 产品状态:在售
• 频率范围:6.235 ~ 6.86GHz，12.47 ~ 13.72GHz
• 频率 - 中心:6.5475GHz，13.095GHz
• 电压 - 供电:5V
• 调谐电压 (VDC):2 V ~ 13 V
• 二次谐波，典型值（dBc）:17
• 最大 Icc:240mA
• 推移（MHz/V）:2
• 功率 (dBm):2.5 ±3.5，10.5±3.5
• 典型相位噪声 (dBc/Hz):-85
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘，CSP
• 大小 / 尺寸:0.197 长 x 0.197 宽（5.00mm x 5.00mm）
• 高度:0.039\\
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HMC1168LP5E是一款由ADI公司生产的高性能双频段压控振荡器。该器件覆盖6.235 GHz至6.86 GHz和12.47 GHz至13.72 GHz两个频段，中心频率分别为6.5475 GHz和13.095 GHz，通过2V至13V的宽调谐电压实现精确的频率控制。

其核心优势在于优异的射频性能，包括典型的-85 dBc/Hz相位噪声、高达17 dBc的二次谐波抑制，以及在不同频段下分别提供的2.5 dBm和10.5 dBm（均具有±3.5 dBm容差）的稳定输出功率。器件采用5V单电源供电，最大电流240mA，并集成于紧凑的5mm x 5mm QFN封装中，为微波系统设计提供了高集成度、低相位噪声的可靠本地振荡器解决方案。