HMC1164LP5E是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能、双频段压控振荡器（VCO），采用紧凑的5x5 mm QFN封装。该器件集成了振荡器核心与输出缓冲放大器，其核心架构基于优化的GaAs HBT工艺，旨在提供卓越的相位噪声性能和频率稳定性。通过精密的内部电路设计，它能够在宽调谐电压范围内产生稳定且纯净的射频信号，其集成的缓冲放大器有效隔离了VCO核心与负载，确保了输出功率的稳定性和对外部负载变化的低敏感性。

该VCO具备覆盖5.19 GHz至5.65 GHz以及10.38 GHz至11.30 GHz的双频段输出能力，中心频率分别为5.42 GHz和10.84 GHz，为系统设计提供了高度的灵活性。其典型相位噪声低至-110 dBc/Hz，这对于要求严苛的通信和测试设备而言至关重要，能显著改善系统的信噪比和动态范围。同时，器件在5V单电源下工作，最大工作电流为290mA，调谐电压范围为2V至13V，对应的调谐灵敏度（推移）典型值为8 MHz/V，提供了良好的线性调谐特性。输出功率典型值为8 dBm，并具有±4 dB的容差，二次谐波抑制典型值可达20 dBc，有效降低了谐波干扰。

在接口与参数方面，HMC1164LP5E采用32引脚VFQFN（CSP）封装，便于表面贴装并优化了高频性能与散热。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C，确保了在恶劣环境下的可靠运行。对于需要稳定供应和技术支持的客户，可以通过授权的ADI代理获取完整的器件资料、评估板以及设计支持服务。

这款VCO非常适合应用于点对点及点对多点无线电、卫星通信、军用电子战（EW）系统、测试与测量仪器以及微波传感器等高频领域。其优异的相位噪声和双频段输出特性，使其成为需要高性能本振（LO）信号生成或频率合成器核心单元应用的理想选择，能够有效提升整个射频前端的性能指标。

• 型号:HMC1164LP5E
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:
• 类目:晶体，振荡器，谐振器 > VCO（压控振荡器）
• 描述:VCO 5.42GHZ/10.84GHZ 2-13V 5X5MM
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:在售
• 频率范围:5.19 ~ 5.65GHz，10.38 ~ 11.30GHz
• 频率 - 中心:5.42GHz，10.84GHz
• 电压 - 供电:5V
• 调谐电压 (VDC):2 V ~ 13 V
• 二次谐波，典型值（dBc）:20
• 最大 Icc:290mA
• 推移（MHz/V）:8
• 功率 (dBm):8±4
• 典型相位噪声 (dBc/Hz):-110
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘，CSP
• 大小 / 尺寸:0.197 长 x 0.197 宽（5.00mm x 5.00mm）
• 高度:0.039\\
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HMC1164LP5E是ADI公司生产的一款高性能双频段压控振荡器（VCO），采用5x5 mm紧凑型QFN封装。该器件在5V单电源下工作，提供5.19-5.65 GHz和10.38-11.30 GHz两个独立的宽频段输出，中心频率分别为5.42 GHz和10.84 GHz，为多频段系统设计提供了核心的本地振荡源。

其关键性能指标突出，包括低至-110 dBc/Hz的典型相位噪声、8 dBm的典型输出功率以及20 dBc的典型二次谐波抑制，确保了输出信号的纯净度和稳定性。器件调谐电压范围为2至13V，工作温度范围为-40°C至85°C，满足工业环境下的严苛应用需求。