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HMC1097LP4E 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 调制器,封装:24-QFN(4x4)
  • 技术参数:RF MODULATOR 100MHZ-6GHZ 24VFQFN
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HMC1097LP4E 技术参数详情:

作为一款覆盖100MHz至6GHz宽频带的射频调制器,HMC1097LP4E采用了先进的硅锗(SiGe)BiCMOS工艺,集成了高线性度的混频器核心、低相位噪声的本地振荡器(LO)驱动链以及优化的输出增益模块。其架构设计旨在实现从基带或中频(IF)信号到射频(RF)信号的高质量、低失真上变频转换,内部集成的LO缓冲放大器有效隔离了外部信号源,确保了调制过程的稳定性和频谱纯度。

该器件的一个突出特性是其卓越的线性度与动态范围,在典型工作条件下,其输出1dB压缩点(P1dB)高达11dBm,这使其能够处理高峰均功率比(PAPR)的复杂调制信号而不会引入明显的互调失真。同时,其极低的本底噪声,典型值为-160dBm/Hz,为系统提供了出色的接收灵敏度与信噪比(SNR)基础。其射频与LO端口均支持100MHz至6GHz的宽频带操作,提供了极大的设计灵活性,能够适应从传统通信频段到新兴的5G或卫星通信频段的应用需求。

在接口与电气参数方面,HMC1097LP4E采用单电源供电,工作电压范围为4.75V至5.25V,典型供电电流为170mA,功耗与性能达到了良好的平衡。其标准输出功率约为2.75dBm,足以驱动后续的功率放大器或滤波器链路。器件采用紧凑的24引脚VFQFN封装,具有良好的热性能和PCB布局便利性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的ADI芯片代理获取该产品及完整的技术支持。

凭借其宽频带、高线性度和低噪声的特性,该芯片非常适用于要求严苛的无线基础设施,如多频段蜂窝基站、微波点对点回传链路以及软件定义无线电(SDR)平台。它也是测试测量设备(如矢量信号发生器)中上变频模块的理想选择,能够精确生成高质量的调制信号。此外,在军事通信、卫星通信终端等对可靠性和性能有极高要求的领域,该调制器也能提供稳定、高效的解决方案。

  • 型号:HMC1097LP4E
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-QFN(4x4)
  • 类目:射频和无线 > RF 调制器
  • 描述:RF MODULATOR 100MHZ-6GHZ 24VFQFN
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:停产
  • 功能:调制器
  • LO 频率:100MHz ~ 6GHz
  • 射频频率:100MHz ~ 6GHz
  • P1dB:11dBm
  • 本底噪声:-160dBm/Hz
  • 输出功率:2.75dBm
  • 电流 - 供电:170 mA
  • 电压 - 供电:4.75V ~ 5.25V
  • 测试频率:1.7GHz ~ 2.2GHz
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:24-QFN(4x4)
  • HMC1097LP4E优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC1097LP4E是ADI公司推出的一款高性能、宽频带射频调制器,其射频和本振(LO)频率范围均覆盖100MHz至6GHz,为多频段、多标准无线系统设计提供了高度集成的上变频解决方案。

该器件在1.7GHz至2.2GHz典型测试频段内,展现出优异的射频性能,包括高达11dBm的输出P1dB,确保了处理高动态范围信号时的高线性度;同时,其-160dBm/Hz的低本底噪声特性,为整个发射链路奠定了出色的信噪比基础。其单5V供电、170mA的工作电流,在性能与功耗间取得了良好平衡。

LTC4232-1:5A 集成型热插拔控制器
AD8067:高增益带宽产品、精密FastFET™运算放大器
AD5290:紧凑式 +30 V/±15 V 256 位数字电位器
ADR3420:微功耗、高精度2.048V基准电压源
AD9979:采用Precision Timing 内核的14位CCD信号处理器
ADL5306:60 DB范围(100 NA-100 A)低成本对数转换器
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ADP190:逻辑控制的高端电源开关
AD5671R:八通道12位nanoDAC+,内置2 PPM/°C基准电压源和I2C接口
HMC738:具有半频输出和16分频的MMIC VCO,20.9 - 23.9 GHz
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