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HMC1090LP3E 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 解调器,封装:16-QFN(3x3)
  • 技术参数:RF DEMOD IC 700MHZ-3.5GHZ 16QFN
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HMC1090LP3E 技术参数详情:

HMC1090LP3E是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的宽带射频解调器芯片,采用16引脚QFN封装,专为表面贴装应用而优化。该芯片的核心架构基于一个高性能的下变频混频器与集成中频放大器,能够在700MHz至3.5GHz的宽泛射频输入范围内,将高频信号稳定地转换至较低的中频,从而为后续的信号处理链路提供条件。其设计重点在于在宽频带内保持信号完整性,并简化外部电路需求。

该器件具备多项关键特性以支持复杂的射频系统。8.4dB的转换增益有效提升了信号链路的电平,有助于改善系统整体信噪比。其10.5dB的噪声系数在同类宽带器件中表现均衡,确保了在接收链路前端对微弱信号的有效捕捉与处理。芯片采用单电源3.3V供电,典型工作电流为91mA,功耗控制得当,有利于便携式或高密度集成设备的电源设计。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ADI代理商获取相关的技术资料与库存信息。

在接口与参数方面,HMC1090LP3E提供了标准化的射频输入(RF)、本振输入(LO)以及中频输出(IF)端口。其宽达2.8GHz的射频覆盖范围使其极具灵活性,能够适配多种通信标准频段。紧凑的16-VFQFN封装不仅节省了宝贵的PCB空间,其裸露的底部焊盘也提供了优异的热性能和接地特性,这对于保证在高频工作下的稳定性和可靠性至关重要。虽然该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和验证过的性能使其在诸多现有系统和备件市场中仍有一席之地。

得益于其宽频带与集成化设计,HMC1090LP3E非常适合应用于点对点无线电通信、微波链路、卫星通信终端以及测试测量设备中的下变频模块。它能够有效简化从天线到数字转换器之间的模拟信号链,工程师可以借助它快速构建高性能的接收机前端,尤其在对工作频带有切换或宽频扫频需求的应用场景中,其价值更为突出。

  • 型号:HMC1090LP3E
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-QFN(3x3)
  • 类目:射频和无线 > RF 解调器
  • 描述:RF DEMOD IC 700MHZ-3.5GHZ 16QFN
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:停产
  • 功能:降频器
  • LO 频率:-
  • 射频频率:700MHz ~ 3.5GHz
  • P1dB:-
  • 增益:8.4dB
  • 噪声系数:10.5dB
  • 电流 - 供电:91 mA
  • 电压 - 供电:3.3V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:16-QFN(3x3)
  • HMC1090LP3E优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC1090LP3E是ADI公司推出的一款射频下变频解调器IC,采用16-VFQFN表面贴装封装。该芯片的核心功能是在700MHz至3.5GHz的极宽射频输入范围内,将高频信号下变频至中频,其8.4dB的转换增益有助于提升系统动态范围。

该器件在宽频带内保持了10.5dB的噪声系数,确保了接收链路对信号的敏感度。其采用单3.3V电源供电,典型工作电流为91mA,功耗设计兼顾了性能与能效。这些特性使其成为构建紧凑型、宽带射频接收前端的理想选择。

LTC6363:精准、低功率、轨至轨输出、差分运算放大器
LT3587:高电压单片式负输出和双通道升压转换器
LTC7050-1:采用5mm × 8mm LQFN封装的双通道SilentMOS智能功率级
ADA4627-1:36 V、19 MHZ、低噪声、低偏置电流、JFET运算放大器
AD8603:微功耗RRIO、低噪声、精密单通道CMOS运算放大器
LTC2162:16 位、65Msps、低功率 ADC
DAC8228:单芯片双通道8位CMOS电压输出D/A转换器
LTC5598:5MHz 至 1600MHz 高线性度直接正交调制器
ADCMP604:轨到轨、2.5 V至5.5 V、单电源LVDS极快型比较器,采用6引脚SC70封装
LTC4068-4.2:具可编程终止功能的独立型线性锂离子电池充电器
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