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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:12-CLCC(2.9x2.9)
  • 技术参数:IC MIXER DBL BALANCED 12SMD
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HMC1048ALC3BTR 技术参数详情:

HMC1048ALC3BTR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能、双平衡混频器芯片,采用紧凑的12引脚CLCC表面贴装封装,专为覆盖2GHz至18GHz的极宽频带应用而优化。其核心架构基于成熟的GaAs(砷化镓)肖特基二极管技术,结合精密的巴伦(Balun)结构设计,实现了从射频(RF)到中频(IF)的高线性度频率转换。这种架构确保了在整个工作频段内,本振(LO)到射频以及本振到中频端口之间具有出色的隔离度,有效抑制了本振信号的泄漏,从而简化了系统设计中对滤波器的要求。

该器件的一个显著功能特点是其双平衡设计,这使其能够同时抑制偶次谐波产物,并显著降低本振引入的调幅噪声,从而提升整体系统的动态范围。作为一款无源混频器,它无需外部直流偏置,简化了供电设计。其转换损耗典型值在整个频段内保持优异且平坦,同时提供了卓越的输入三阶截点(IP3)性能,这对于处理高功率或存在强干扰信号的场景至关重要,能够最大程度地减少互调失真对有用信号的影响。用户可以通过ADI授权代理获取完整的设计支持与样品。

在接口与关键参数方面,HMC1048ALC3BTR提供了标准化的射频(RF)、本振(LO)和中频(IF)三个端口,所有端口均内部匹配至50欧姆,便于集成到微波传输线中。其工作频率范围覆盖2GHz至18GHz,适用于C、X、Ku乃至部分K波段的应用。该芯片采用表面贴装型(SMT)12-CLCC封装,适合自动化贴片生产,并且提供卷带(TR)包装,满足高效率的批量制造需求。其稳健的设计确保了在宽温范围内的可靠性能。

得益于其宽频带、高线性度和卓越的端口隔离特性,这款混频器非常适合应用于对性能要求苛刻的领域。在卫星通信(VSAT)系统中,它可用于上变频或下变频链路;在军用电子战和雷达系统中,其宽频带特性支持频率捷变和宽带侦察接收;此外,在点对点微波无线电、测试与测量设备以及航空航天电子系统中,它也是实现高性能频率转换的核心组件。其无源工作的特性也使其在低功耗或分布式系统中具有优势。

  • 型号:HMC1048ALC3BTR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:12-CLCC(2.9x2.9)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MIXER DBL BALANCED 12SMD
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 射频类型:VSAT
  • 频率:2GHz ~ 18GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:-
  • 辅助属性:-
  • 电流 - 供电:-
  • 电压 - 供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:12-CLCC 焊盘
  • 供应商器件封装:12-CLCC(2.9x2.9)
  • HMC1048ALC3BTR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC1048ALC3BTR是ADI公司推出的一款覆盖2GHz至18GHz超宽频段的无源双平衡混频器。该芯片采用GaAs肖特基二极管技术,在12-CLCC表面贴装封装内集成了高性能巴伦结构,无需直流供电即可工作,显著简化了系统电源设计。

其核心优势在于卓越的线性度(高IP3)和出色的端口隔离度,能有效抑制本振泄漏和偶次谐波,从而在宽频带内提供稳定且低失真的频率转换性能。这些特性使其成为卫星通信(VSAT)、雷达、电子战以及测试测量等高端射频系统的理想选择。

AD680:低功耗、2.5 V带隙基准电压源
LTC2324-12:4 通道、12 位带符号位、每通道 2Msps、同时采样 ADC
HMC462LP5:宽带低噪声放大器,采用SMT封装,2 - 20 GHz
AD5060:全精度3 V/5 V、16位VOUT nanoDAC转换器、缓冲输出、采用Sot 23封装
ADL5315:精密宽范围(3 nA - 3 mA)高端电流镜
ADP5587:移动 I/O 扩展器和 QWERTY 键盘控制器
LTC2287:双通道、10 位、40Msps、低噪声 3V ADC
HMC8325:71 GHz至86 GHz,E频段低噪声放大器
LTC1693:高速单路 / 双路 N 沟道 MOSFET 驱动器
AD5424:高带宽、8位、并行接口乘法DAC
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