
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:模具
- 技术参数:IC MMIC MIXER DBL-BAL DIE
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HMC-MDB277是一款工作在E波段(70GHz至90GHz)的单片微波集成电路(MMIC)双平衡混频器,采用模具(Die)形式封装,专为要求苛刻的高频应用而设计。其核心架构基于ADI先进的GaAs(砷化镓)或GaN(氮化镓)工艺技术,集成了高性能的肖特基二极管环形混频器核心与优化的片上巴伦结构。这种设计确保了在毫米波频段实现卓越的端口间隔离度与线性度,同时将芯片尺寸控制在最小,便于集成到多芯片模块(MCM)或更复杂的射频前端模块中。
该器件作为一款双平衡混频器,其显著优势在于能够同时抑制本振(LO)端口和射频(RF)端口的偶次谐波,并有效隔离LO信号向中频(IF)端口的泄漏,从而简化了系统设计中对滤波器的要求。它被定义为升/降频器,意味着既可以作为上变频器(将IF信号搬移至RF频段),也可以作为下变频器(将RF信号搬移至IF频段),为收发链路设计提供了高度的灵活性。其工作频率覆盖70GHz至90GHz,使其成为毫米波雷达、点对点通信以及下一代无线回传系统的理想选择。
在接口与关键参数方面,HMC-MDB277采用表面贴装型模具,需要用户进行引线键合以实现与外部电路的连接,这为系统集成商提供了布局布线的自由度,以优化毫米波传输线的性能。虽然其具体增益、噪声系数和供电参数未在基础描述中明确,但这通常意味着该芯片设计为无源或有源偏置的混频器,其性能高度依赖于外部匹配电路和偏置条件。工程师可以通过ADI授权代理获取完整的数据手册和应用笔记,以获取详细的S参数、转换损耗、三阶交调截点(IP3)等核心性能曲线及推荐的外围电路设计。
该芯片的主要应用场景聚焦于毫米波领域。在汽车雷达与成像雷达系统中,其E波段工作频率支持高分辨率的目标探测与识别。在高速点对点无线通信链路(如E-band通信)中,它能够处理高带宽的数据流,是实现Gbps级数据传输速率的关键组件。此外,在测试与测量设备、卫星通信以及科研领域的毫米波系统中,HMC-MDB277凭借其宽频带和双平衡特性,为开发高性能、紧凑型的射频前端提供了一个可靠且高性能的解决方案。
- 型号:HMC-MDB277
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:模具
- 类目:射频和无线 > 射频混频器
- 描述:IC MMIC MIXER DBL-BAL DIE
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 射频类型:雷达
- 频率:70GHz ~ 90GHz
- 混频器数:1
- 增益:-
- 噪声系数:-
- 辅助属性:升/降频器
- 电流 - 供电:-
- 电压 - 供电:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:模具
- 供应商器件封装:模具
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HMC-MDB277是亚德诺半导体(ADI)推出的一款E波段(70GHz至90GHz)MMIC双平衡混频器芯片。该器件采用模具封装,专为毫米波应用设计,具备作为升频器或降频器工作的灵活性,适用于雷达及高速无线通信系统。
其双平衡架构有效提升了本振与射频端口间的隔离度,并抑制了偶次谐波,有助于简化系统级滤波需求。作为ADI射频混频器系列的一员,该芯片为开发紧凑、高性能的70-90GHz射频前端提供了核心的变频功能,是应对毫米波频段设计挑战的关键元器件。



















