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HMC-C200-8000 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:RF IC和模块,封装:模块,SMA 连接器
  • 技术参数:RF DRO MODULE ML-5-3
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HMC-C200-8000 技术参数详情:

HMC-C200-8000是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能射频模块,专为8GHz至8.3GHz频段内的精密信号生成与控制而设计。该模块采用模块化封装,集成了介质谐振振荡器(DRO)核心,通过内置的稳定谐振腔和精密的温度补偿电路,实现了在宽温范围内的出色频率稳定性与极低的相位噪声,为高频系统提供了可靠的本振源。

该模块的核心优势在于其卓越的频谱纯度稳定的输出性能。其DRO架构避免了传统锁相环(PLL)电路可能引入的带内噪声和锁定时间问题,能够直接产生干净、稳定的射频信号。模块采用SMA连接器进行安装与信号连接,这种标准接口形式简化了系统集成,确保了良好的阻抗匹配与信号完整性,同时其连接器安装方式也便于在测试平台或设备中进行快速部署与更换。

在电气参数方面,HMC-C200-8000工作在8GHz至8.3GHz的通用射频频段,覆盖了卫星通信、点对点无线电以及高端测试测量设备中的常用频率。其模块化封装形式将振荡器、缓冲放大器以及必要的偏置和匹配电路集成于一个紧凑的单元内,用户无需进行复杂的射频电路设计即可获得即插即用的高性能信号源。对于需要稳定、低噪声本振信号的应用,从专业的ADI一级代理商处获取此正品模块是保障系统长期可靠性的关键。

该器件典型的应用场景包括作为微波通信链路的上/下变频器本振、自动化测试设备(ATE)中的激励信号源,以及雷达系统的时钟参考。其“散装”的包装形式也表明它主要面向工业级、小批量或原型系统的直接集成需求。在当前元器件供应环境下,其“最后抢购”的零件状态提示了该型号可能已进入生命周期末期,对于正在进行相关设计或维护的项目而言,确保关键元器件的持续供应显得尤为重要。

  • 制造商产品型号:HMC-C200-8000
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:RF DRO MODULE ML-5-3
  • 系列:RF IC和模块
  • 包装:散装
  • 零件状态:最後
  • 功能:DRO
  • 频率:8GHz ~ 8.3GHz
  • 射频类型:通用
  • 辅助属性:SMA 连接器
  • 安装类型:连接器安装
  • 封装:模块,SMA 连接器
  • HMC-C200-8000优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC-C200-8000是亚德诺半导体(ADI)生产的一款介质谐振振荡器(DRO)射频模块。该模块设计工作在8GHz至8.3GHz频率范围,采用标准的SMA连接器进行安装与信号输出,其模块化封装集成了核心振荡电路与接口,为用户提供了即插即用的高性能射频信号源解决方案。

其核心卖点在于基于DRO技术实现的优异频谱纯度和频率稳定性,避免了锁相环结构的相位噪声与锁定时间问题。该器件适用于对本地振荡信号质量有严格要求的微波通信、测试测量及雷达系统,其紧凑的模块形式显著简化了系统级射频设计难度。

ADRF5519:双通道,2.3 GHz至2.8 GHz,20 W接收器前端
LTM2885:6500VRMS 隔离型 RS485/RS422 μModule 收发器和电源
LTC2356-12:具停机功能的串行 12 位、3.5Msps 采样 ADC
LT1351:250μA、3MHz、200V/μs 运算放大器
LT6554:650MHz、增益为 1 的三路视频缓冲器
ADA4851-2:低成本、高速、轨到轨输出运算放大器(双通道)
ADF4208:双通道、整数N分频1.1 GHz /2.0 GHz PLL
RH1013M:双通道精准运算放大器
ADG3241:2.5 V/3.3 V、1位、2端口电平转换器总线开关
LTC2645:具 10ppm/C 基准的四通道、12 / 10 / 8 位 PWM 至 VOUT DAC
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