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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频放大器,封装:模具
  • 技术参数:IC RF AMP VSAT 17GHZ-30GHZ DIE
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HMC-APH196 技术参数详情:

HMC-APH196是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计生产的单片微波集成电路(MMIC)芯片,采用先进的GaAs(砷化镓)pHEMT工艺制造,专为工作在17GHz至30GHz Ku/Ka波段的VSAT(甚小孔径终端)及点对点无线电应用而优化。其核心架构集成了多级放大电路,在极宽的频带内实现了高线性度与高增益的平衡,芯片以裸片(Die)形式提供,为追求极致性能和紧凑集成的微波模块设计提供了高度灵活的基础。

该器件在24GHz至27GHz的典型测试频段内,能够提供高达20dB的稳定增益,同时输出1dB压缩点(P1dB)达到22dBm,确保了在复杂调制信号下的高线性放大能力。其工作电压为单电源4.5V,典型工作电流为400mA,功耗与性能比表现出色。作为一款表面贴装型裸片,它需要专业的共晶或环氧树脂贴装以及金丝键合工艺,这要求用户具备相应的封装和测试能力,或通过专业的ADI芯片代理获取完整的应用技术支持与供应链服务。

在接口与参数方面,HMC-APH196设计用于50欧姆匹配环境,其输入输出端口均已针对宽带应用进行了内匹配优化,减少了外部匹配元件的需求,简化了板级设计。虽然其噪声系数参数未在公开资料中明确标注,但其高P1dB和增益特性明确指向了对输出功率和线性度有严格要求的发射链路或驱动级应用。芯片的“最後”状态提示该产品已进入生命周期末期,对于计划在新设计中采用此器件的工程师,需提前做好供应链规划。

其典型应用场景包括卫星通信上行链路、微波毫米波回程网络、VSAT发射机以及测试测量设备中的功率放大模块。在这些系统中,HMC-APH196能够作为末级功放的高性能驱动级,有效提升系统的整体输出功率和信号质量,满足现代高数据吞吐量通信对射频前端提出的苛刻要求。

  • 型号:HMC-APH196
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:模具
  • 类目:射频和无线 > 射频放大器
  • 描述:IC RF AMP VSAT 17GHZ-30GHZ DIE
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 频率:17GHz ~ 30GHz
  • P1dB:22dBm
  • 增益:20dB
  • 噪声系数:-
  • 射频类型:VSAT
  • 电压 - 供电:4.5V
  • 电流 - 供电:400mA
  • 测试频率:24GHz ~ 27GHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:模具
  • HMC-APH196优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC-APH196是亚德诺半导体(ADI)推出的一款覆盖17GHz至30GHz频段的VSAT射频放大器裸片。该器件基于GaAs pHEMT工艺,在24GHz至27GHz的典型工作范围内可提供20dB的高增益和22dBm的高输出功率(P1dB),具备优异的线性放大性能,专为对带宽和输出能力要求苛刻的微波毫米波系统设计。

其采用单4.5V电源供电,典型工作电流为400mA,以表面贴装型模具(Die)形式交付,适合集成于高性能微波模块中。该芯片主要面向卫星通信上行链路、点对点回传及测试设备等应用场景,可作为发射链路的驱动或功率放大级,有效提升系统链路预算和信号质量。

LTC7545A:改进型业界标准并行 12 位乘法 DAC
ADSP-CM402F:带11+ ENOB ADC、LQFP120的150MHz ARM Cortex-M4
LTC2461:具 10ppm/C 最大值精准基准的超纤巧型 16 位 I2C ΔΣ ADC
LTC1515:具复位功能的升压 / 降压型开关电容器 DC/DC 转换器
ADN4620:7.5 kV RMS/3.75 kV rms 双通道 LVDS 2.5 Gbps 隔离器(0 个反向通道)
SDC1741:12位自整角机数字转换器
LTM4651:符合 EN55022B 规格的 58V、24W、负输出 DC/DC Module 稳压器
SSM2603:低功耗音频编解码器
HMC373:具有旁路模式的GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器,700 - 1000 MHz
ADF9010:900MHz ISM频段 RF模拟前端
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