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DS1258W-100# 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:40-EDIP
  • 技术参数:IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP
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DS1258W-100# 技术参数详情:
  • 型号:DS1258W-100#
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI亚德诺, Maxim Integrated美信半导体)
  • 封装:40-EDIP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP
  • 系列:-
  • 包装:盒
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:NVSRAM
  • 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM)
  • 存储容量:2Mb
  • 存储器组织:128K x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:100ns
  • 访问时间:100 ns
  • 电压 - 供电:3V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:40-DIP 模块(0.610,15.495mm)
  • 供应商器件封装:40-EDIP
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HMC1048A:2.25 GHz至18 GHz、MMIC、双平衡下变频器
AD9224:12位、40 MSPS单芯片ADC
AD7998:内置I2C兼容接口的8通道、12位ADC,采用20引脚TSSOP封装
AD7228A:LC2MOS八通道8位DAC
ADG5243F:用户定义故障保护和检测,0.8 pC QINJ,三通道单刀双掷
LTC4306:采用电容缓冲的 4 通道、二线式总线多路复用器
AD9371:带观测路径功能的集成式双通道RF收发器
LTC4380:低静态电流浪涌抑制器
ADM1085:内置高电平有效、开漏使能输出的电压时序控制器
AD9522-1:12路LVDS/24路CMOS输出时钟发生器,集成2.4 GHz VCO
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