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- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：集成电路（IC） > 存储器 > 存储器，封装:28-EDIP
- 技术参数：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
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DS1230AB-120IND 技术参数详情：
- 型号:DS1230AB-120IND
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI亚德诺, Maxim Integrated美信半导体)
- 封装:28-EDIP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:NVSRAM
- 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量:256Kb
- 存储器组织:32K x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:120ns
- 访问时间:120 ns
- 电压 - 供电:4.75V ~ 5.25V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:28-DIP 模块（0.600，15.24mm）
- 供应商器件封装:28-EDIP
- DS1230AB-120IND优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。
LTC2357-16：具 30VP-P 共模范围的缓冲 4 通道、16 位、每通道 350ksps、差分 ±10.24V ADC
ADE7912：内置SPI接口的2通道、隔离式Σ-Δ型ADC
LT1160：半桥式/全桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器
HMC911：宽带模拟时间延迟器件，采用SMT封装，DC - 24 GHz
AD9235：12位、20/40/65 MSPS、3 V 模数转换器（ADC）
ADL5240：100 MHz 至4000 MHz RF/IF数字控制VGA
LTC4416：用于大 PFET 的 36V、低损耗、双通道、PowerPath 控制器
AD9979：采用Precision Timing 内核的14位CCD信号处理器
LTM4616：每通道 8A 输出的双通道、低 VIN DC/DC Module 稳压器
ADG901：宽带、43 dB隔离(1 GHz)、CMOS 1.65 V至2.75 V、吸收式/反射式开关
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