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DC2688A-B 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:开发板,套件,编程器 > 评估板 > 评估和演示板及套件,封装:
  • 技术参数:EVAL BOARD FOR LT8698S
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DC2688A-B 技术参数详情:

DC2688A-B 是一款基于LT8698S和LT8698S-1电源管理芯片的评估与演示板,隶属于亚德诺半导体(ADI)的评估和演示板及套件系列。该板卡目前处于有源状态,专为电源管理应用中的电池充电器功能评估与原型开发而设计,为工程师提供了一个高度集成且功能完整的硬件验证平台。

该演示板的核心架构围绕ADI的高性能电源管理IC LT8698S系列构建。LT8698S是一款高效率、多功能的同步降压型电池充电控制器,集成了功率MOSFET驱动器、精准的电流与电压检测环路以及复杂的充电状态管理逻辑。演示板通过精心布局的PCB设计,将IC的理论性能转化为可实测的电路,允许用户全面评估芯片在真实负载条件下的行为,包括其热性能、效率曲线以及动态响应特性。

在功能实现上,DC2688A-B板卡完整展现了LT8698S芯片的先进充电管理能力。它支持对单节或多节锂离子/聚合物电池进行恒流(CC)、恒压(CV)以及消流(Trickle)充电,充电电流和电压可通过板载元件或外部信号进行灵活配置。其高效率的同步整流架构显著降低了充电过程中的功率损耗和温升,而集成的输入电压动态功率管理(DPPM)和热调节环路则确保了系统在各种输入源和温度条件下的安全、可靠运行。此外,板卡通常会引出关键的控制和状态引脚,便于用户进行功能使能、充电状态监控以及与主处理器的通信。

在接口与关键参数方面,该演示板提供了标准的电源输入接口、电池连接端子以及用于测量和监控的测试点。其性能直接取决于所搭载的LT8698S IC,后者通常具备宽范围的输入电压适应能力、可编程的高精度充电电流与电压、以及丰富的保护功能如输入过压/欠压锁定、电池温度监测、充电超时和短路保护等。工程师可以通过调整板载的无源元件来验证不同参数配置下的系统表现。

鉴于其评估板的属性,DC2688A-B主要面向需要高效电池充电解决方案的应用场景进行前期开发和验证。它非常适用于便携式医疗设备、工业手持终端、无人机、高端消费电子等产品的电源系统设计阶段。通过此板卡,设计团队可以加速产品上市进程,并确保电源子系统达到最优性能与可靠性。对于需要获取此评估板或进行技术咨询的设计人员,可以通过ADI中国代理获得相关的产品支持与供应链服务。

  • 型号:DC2688A-B
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:
  • 类目:开发板,套件,编程器 > 评估板 > 评估和演示板及套件
  • 描述:EVAL BOARD FOR LT8698S
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 类型:电源管理
  • 功能:电池充电器
  • 嵌入式:无
  • 使用的 IC/零件:LT8698S,LT8698S-1
  • 主要属性:-
  • 辅助属性:-
  • 内含物:板
  • DC2688A-B优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

DC2688A-B 是亚德诺半导体(ADI)推出的一款针对LT8698S系列电源管理IC的专用演示评估板。该板卡属于有源状态的评估套件,核心功能是完整呈现LT8698S作为高性能电池充电控制器的各项特性,为工程师提供一个即用型的硬件验证与测试平台。

该评估板的核心价值在于其能够直接评估基于LT8698S芯片的电源管理方案。它允许用户在实际电路环境中,精确测量和验证充电管理的关键参数,如充电效率、热性能、不同模式(恒流、恒压)下的转换特性以及各种保护功能的触发条件。通过板载的灵活配置选项,工程师可以快速完成原型设计,优化充电参数,从而显著缩短采用LT8698S芯片的终端产品开发周期。

HMC346ALP3E:GaAs MMIC电压可变衰减器,DC - 14 GHz
ADG774A:低压、400 MHz、四通道2:1多路复用器,开关时间为3 ns
ADSP-BF516:具有低功耗、先进的嵌入式连接性能的Blackfin处理器
LTC4246:带有SPI接口的30mΩ RON 12 V八通道电子断路器
AD9261:16位、10 MHz带宽、30 MSPS至160 MSPS、连续时间Σ-Δ型ADC
HMC273A:1 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器,0.7至3.8 GHz
ADM800:微处理器电源监控器,内置可调复位周期与可调看门狗周期功能
LTC6260:1.3MHz、20μA、高电源效率、轨至轨 I/O 运放
ADSP-BF539:Blackfin处理器,用于汽车导航、娱乐和音频系统
LTC4441:N 沟道 MOSFET 栅极驱动器
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