ADUM6132ARWZ是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款基于其专利iCoupler磁隔离技术的双通道隔离式栅极驱动器。该器件集成了ADI的IsoPower技术，能够在单芯片内同时实现信号与电源的隔离，从而省去了传统设计中需要独立隔离电源的复杂性和空间占用。其核心架构采用高速CMOS工艺与芯片级变压器相结合，通过磁耦合方式跨越隔离栅传输信号与能量，确保了高可靠性与优异的抗干扰性能。

该器件具备3750Vrms的增强型隔离电压，能够承受严苛的工业与能源环境。其出色的共模瞬变抗扰度（CMTI）高达50kV/s，有效防止了功率器件开关时产生的高压瞬变导致逻辑误触发，确保了系统在噪声环境下的稳定运行。在动态性能方面，ADUM6132ARWZ提供了极快的信号传输速度，典型传播延迟仅为100ns，最大脉宽失真（PWD）控制在10ns以内，典型上升/下降时间为15ns，这些特性使其能够精准、高效地驱动IGBT、SiC MOSFET等快速开关功率器件。

接口与电气参数设计充分考虑了驱动需求，每个通道可提供高达200mA的峰值拉电流和灌电流输出能力，足以直接驱动中小功率模块。其输出侧供电电压范围为12.5V至17V，为功率器件的栅极提供合适的驱动电平。器件采用紧凑的16引脚SOIC宽体封装，支持表面贴装，工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过授权的ADI代理获取完整的供应链服务与设计资源。

凭借其高集成度、高可靠性和优异的动态性能，ADUM6132ARWZ非常适合应用于电机驱动、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、工业变频器以及电动汽车充电桩等场景。在这些应用中，它能够安全、有效地隔离高压功率回路与低压控制回路，保护敏感的控制电路，同时确保对功率开关器件的快速、可靠控制，是构建高性能、高安全性功率转换系统的关键组件。

• 型号:ADUM6132ARWZ
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-SOIC
• 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
• 描述:DGT ISO 3.75KV 2CH GT DVR 16SOIC
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:磁耦合
• 通道数:2
• 电压 - 隔离:3750Vrms
• 共模瞬变抗扰度（最小值）:50kV/s
• 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:100ns，100ns
• 脉宽失真（最大）:10ns
• 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns（最大）
• 电流 - 输出高、低:200mA，200mA
• 电流 - 峰值输出:200mA
• 电压 - 正向 (Vf)（典型值）:-
• 电流 - DC 正向 (If)（最大值）:-
• 电压 -输出供电:12.5V ~ 17V
• 等级:-
• 资质:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
• 供应商器件封装:16-SOIC
• 认证机构:CSA，UR
• ADUM6132ARWZ优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。

ADUM6132ARWZ是ADI公司基于iCoupler磁隔离技术的双通道隔离栅极驱动器，集成了IsoPower隔离电源。该器件提供3750Vrms的增强型隔离和高达50kV/s的共模瞬变抗扰度，确保在高压噪声环境下的信号完整性。

其动态性能优异，传播延迟典型值为100ns，脉宽失真最大为10ns，上升/下降时间典型值为15ns，能够实现快速、精准的开关控制。每个通道提供200mA的峰值输出电流，输出侧供电电压为12.5V至17V，可直接驱动IGBT或MOSFET。器件采用16-SOIC封装，工作温度范围为-40°C至85°C，适用于要求高可靠性的工业与能源应用。