
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:16-SOIC
- 技术参数:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
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ADUM4224WBRWZ是一款基于亚德诺半导体(ADI)先进iCoupler磁隔离技术的双通道隔离式栅极驱动器。该器件采用磁耦合技术,通过片上微型变压器传输信号,实现了输入侧与两个独立输出侧之间高达5000Vrms的电气隔离。这种架构不仅提供了卓越的隔离性能,还确保了信号传输的高可靠性和稳定性,有效避免了光耦器件常见的老化、温度敏感等问题,为功率开关器件的驱动提供了坚固的隔离屏障。
该驱动器的核心功能在于其强大的驱动能力和快速的动态响应。每个输出通道能够提供高达4A的峰值拉电流和灌电流,足以直接驱动中大功率的IGBT、SiC MOSFET或GaN HEMT等开关器件,确保其快速、可靠的导通与关断。其传播延迟典型值极低,且两个通道间的延迟匹配性能出色,这在大功率半桥或全桥等需要精确控制死区时间的拓扑中至关重要,有助于最大化系统效率并防止直通短路。高达50kV/s的共模瞬变抗扰度(CMTI)是其另一显著优势,使其在电机驱动、光伏逆变器等存在剧烈电压跳变的恶劣噪声环境中,能够保持稳定工作,输出信号不受干扰,极大地提升了系统的鲁棒性。
在接口与电气参数方面,ADUM4224WBRWZ设计灵活且坚固。其输出侧供电电压范围宽达7.5V至18V,可适配多种功率器件的栅极驱动电压需求。工作温度范围覆盖-40°C至125°C的汽车级标准,结合其AEC-Q100认证的Automotive产品系列属性,明确指向了严苛的汽车电子与工业应用。器件采用标准的16引脚SOIC宽体封装,便于表面贴装和生产。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过ADI中国代理获取该产品及相关设计资源。
基于上述特性,ADUM4224WBRWZ非常适合应用于对可靠性、安全性和性能要求极高的领域。在工业自动化中,它是伺服驱动器、变频器和工业电源的理想选择;在新能源汽车领域,可用于主电机驱动逆变器、车载充电机(OBC)和直流-直流变换器(DC-DC);在可再生能源方面,则是光伏逆变器和储能系统功率转换部分的关键驱动元件。其强大的隔离、驱动和抗干扰能力,为构建高效、紧凑且耐用的高功率密度电源转换系统提供了核心保障。
- 型号:ADUM4224WBRWZ
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-SOIC
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 通道数:2
- 电压 - 隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):50kV/s
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):54ns,54ns
- 脉宽失真(最大):-
- 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
- 电流 - 输出高、低:-
- 电流 - 峰值输出:4A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
- 电压 -输出供电:7.5V ~ 18V
- 等级:汽车级
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:16-SOIC
- 认证机构:CSA,UR
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ADUM4224WBRWZ是ADI推出的一款双通道、隔离式栅极驱动器,采用磁耦合技术实现高达5000Vrms的电气隔离。该器件专为驱动IGBT、SiC和GaN等功率开关器件而设计,每个通道可提供4A的峰值输出电流,确保功率器件的快速开关。
其关键性能参数包括极低的传播延迟(典型值)以及高达50kV/s的卓越共模瞬变抗扰度(CMTI),这使其在电机驱动、逆变器等存在高噪声和电压突变的复杂电力电子环境中能够稳定可靠地工作。器件符合AEC-Q100标准,工作温度范围为-40°C至125°C,采用16-SOIC封装,满足汽车和工业应用对高可靠性和鲁棒性的严苛要求。



















