
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:16-SOIC
- 技术参数:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
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ADUM4223WBRWZ-RL是一款基于亚德诺半导体(Analog Devices)专有iCoupler磁隔离技术的双通道隔离式栅极驱动器。该器件采用磁耦合技术,通过片上微型变压器传输信号,实现了输入侧与两个独立输出侧之间高达5000Vrms的电气隔离,有效阻断了高共模电压、地电位差及噪声干扰,为功率开关器件提供了安全、可靠的驱动接口。其核心架构集成了两个独立的隔离通道,每个通道均具备信号调理、隔离传输及强大的输出驱动级,确保了信号的完整性与驱动的强劲性。
该器件具备卓越的性能特性。高达50kV/s的共模瞬变抗扰度(CMTI)使其在功率开关快速切换产生的高频噪声环境下,能够保持稳定工作,有效防止误触发。极低的传播延迟(最大值54ns)与匹配的上升/下降时间(典型值12ns),结合极低的脉宽失真,确保了驱动信号的精确时序,这对于高频开关应用至关重要,有助于提升系统效率并降低开关损耗。其输出级能够提供高达4A的峰值拉/灌电流,可直接驱动IGBT、MOSFET等功率半导体,实现快速开通与关断,减少开关过程中的功率损耗。
在接口与参数方面,该器件采用16引脚SOIC宽体封装,支持表面贴装,便于集成。其输出侧供电电压范围宽达7.5V至18V,为不同电压等级的功率器件提供了灵活的偏置选择。工作温度范围覆盖-40°C至125°C,完全满足汽车级(Automotive)应用的严苛环境要求,确保了在高温、高振动等恶劣条件下的长期可靠性。对于需要确保元器件来源与品质保障的系统集成商,通过正规的ADI授权代理进行采购是推荐的选择。
凭借其高隔离能力、快速响应和强大的驱动性能,ADUM4223WBRWZ-RL广泛应用于需要高可靠性与安全性的领域。在工业自动化中,它常用于电机驱动、变频器、伺服控制系统中的IGBT驱动隔离;在新能源领域,是光伏逆变器、储能变流器、车载充电机(OBC)中功率模块驱动的关键组件;同时,其汽车级认证使其非常适合应用于电动汽车的主驱逆变器、DC-DC转换器等高压电控单元,确保动力系统在高压环境下的安全、高效运行。
- 型号:ADUM4223WBRWZ-RL
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-SOIC
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 通道数:2
- 电压 - 隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):50kV/s
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):54ns,54ns
- 脉宽失真(最大):-
- 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
- 电流 - 输出高、低:-
- 电流 - 峰值输出:4A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
- 电压 -输出供电:7.5V ~ 18V
- 等级:汽车级
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:16-SOIC
- 认证机构:CSA,UR,VDE
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ADUM4223WBRWZ-RL是ADI推出的一款双通道、隔离式栅极驱动器,隶属于其汽车级产品系列。该器件采用磁耦合隔离技术,提供高达5000Vrms的电气隔离和50kV/s的卓越共模瞬变抗扰度,确保在高压、高噪声环境下的信号完整性与系统安全。
其技术参数表现出色,具备最大54ns的低传播延迟和典型12ns的快速上升/下降时间,能实现精确的开关控制。输出级可提供4A的峰值电流,能够高效驱动IGBT和MOSFET等功率开关器件。宽输出供电范围(7.5V至18V)和-40°C至125°C的宽工作温度范围,使其能够满足工业电机驱动、新能源逆变以及汽车电控等严苛应用场景对高性能与高可靠性的要求。



















