
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:16-SOIC
- 技术参数:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
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ADUM4223CRWZ是亚德诺半导体(ADI)基于其专利iCoupler技术开发的一款双通道、隔离式栅极驱动器。该器件采用磁耦合技术实现信号与电源的隔离,其核心架构集成了两个独立的隔离通道,每个通道均包含一个高速CMOS接口、ADI专有的芯片级变压器以及一个高电流输出级。这种架构设计确保了在单芯片上实现高集成度与高性能的隔离,同时避免了传统光耦器件因LED老化带来的性能衰减问题,提供了更长的使用寿命和更高的可靠性。
该器件具备高达5000Vrms的电气隔离额定值,能够有效阻断高压侧与低压侧之间的危险电位差,为人员和设备提供安全保障。其卓越的抗干扰能力体现在高达50kV/s的最小共模瞬变抗扰度(CMTI),这使其在功率开关管(如IGBT、SiC MOSFET)高速开关产生的恶劣噪声环境中,能够保持信号的完整性与控制的精确性,有效防止误触发。极低的传播延迟(最大54ns)和匹配良好的上升/下降时间(典型值12ns),确保了驱动信号的快速响应与精确时序,这对于现代高频开关电源和电机驱动应用至关重要。其峰值输出电流能力达到4A,可直接驱动中大功率的开关管,简化了外部缓冲电路的设计。
在接口与工作参数方面,ADUM4223CRWZ的输出侧供电电压范围宽达11.5V至18V,为不同栅极电压要求的功率器件提供了灵活的偏置选择。器件采用标准的16引脚SOIC宽体封装,便于表面贴装(SMT)生产。其宽泛的工作温度范围(-40°C至125°C)确保了在工业、汽车等严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ADI代理商获取原厂正品和技术支持。
凭借其高性能的隔离与驱动特性,该芯片广泛应用于需要安全隔离和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括工业电机驱动与伺服控制系统、光伏逆变器和储能系统(ESS)、不间断电源(UPS)以及电动汽车的车载充电机(OBC)和直流-直流变换器。在这些场景中,它不仅能实现控制系统与功率级的安全隔离,其快速的开关性能还有助于提升系统效率与功率密度,是构建高效、紧凑、可靠电力电子系统的关键组件。
- 型号:ADUM4223CRWZ
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-SOIC
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 通道数:2
- 电压 - 隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):50kV/s
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):54ns,54ns
- 脉宽失真(最大):-
- 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
- 电流 - 输出高、低:-
- 电流 - 峰值输出:4A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
- 电压 -输出供电:11.5V ~ 18V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:16-SOIC
- 认证机构:CSA,UR,VDE
- ADUM4223CRWZ优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
ADUM4223CRWZ是ADI公司推出的一款采用iCoupler磁耦合技术的双通道隔离栅极驱动器。该器件提供高达5000Vrms的强化电气隔离和50kV/s的卓越共模瞬变抗扰度,确保在高压、高噪声环境下的信号完整性与系统安全。
其技术核心在于实现了高速与高驱动能力的结合,典型传播延迟低至54ns,上升/下降时间为12ns,同时提供4A的峰值输出电流,能够高效驱动IGBT、SiC MOSFET等功率开关器件。器件支持11.5V至18V的宽输出供电范围,并可在-40°C至125°C的工业级温度范围内稳定工作,封装形式为16-SOIC。



















