
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:16-SOIC
- 技术参数:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
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作为一款基于ADI公司iCoupler磁耦隔离技术的双通道隔离式栅极驱动器,ADUM4223ARWZ-RL在核心架构上采用了先进的芯片级变压器进行信号与电源隔离。其内部集成了两个独立的隔离通道,每个通道均包含完整的信号传输路径与隔离栅,能够实现高达5000Vrms的电气隔离。这种磁耦合技术避免了传统光耦器件因LED老化导致的性能衰减问题,提供了更稳定、可靠的长期工作寿命,同时实现了高速、低抖动的信号传输。
该器件具备出色的动态性能,其传播延迟典型值低至59纳秒,且通道间的传播延迟匹配度极高,这确保了驱动信号的精确时序控制,对于需要精确死区时间管理的高频开关应用至关重要。其高达50kV/s的共模瞬变抗扰度(CMTI)使其在功率开关管快速切换产生的高噪声环境下,能够有效抑制干扰,避免误触发,保障系统安全。输出级设计强劲,可提供高达4A的峰值拉/灌电流,能够快速驱动大容性负载的功率MOSFET或IGBT,有效减少开关损耗。
在接口与电气参数方面,ADUM4223ARWZ-RL采用单电源供电,输出侧供电电压范围宽达4.5V至18V,兼容多种功率器件的栅极驱动电压需求。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至125°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。器件采用16引脚SOIC宽体封装,提供了充足的爬电距离和电气间隙,以满足高隔离电压的安全要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理获取产品、设计资源及本地化服务。
凭借其高性能与高可靠性,该芯片广泛应用于工业自动化、电机驱动、光伏逆变器、不间断电源(UPS)以及电动汽车充电桩等场景。在这些系统中,它主要用于隔离低压控制电路与高压功率电路,安全、高效地驱动IGBT、SiC MOSFET等功率开关器件,是实现系统安全隔离、提升功率密度和开关频率的关键组件。
- 型号:ADUM4223ARWZ-RL
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-SOIC
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 通道数:2
- 电压 - 隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):50kV/s
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):59ns,59ns
- 脉宽失真(最大):-
- 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
- 电流 - 输出高、低:-
- 电流 - 峰值输出:4A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
- 电压 -输出供电:4.5V ~ 18V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:16-SOIC
- 认证机构:CSA,UR,VDE
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ADUM4223ARWZ-RL是ADI公司推出的一款双通道、隔离式栅极驱动器,采用iCoupler磁耦隔离技术,提供高达5000Vrms的电气隔离。其核心优势在于高速、低延迟的信号传输与极高的抗干扰能力,传播延迟典型值仅为59ns,共模瞬变抗扰度(CMTI)高达50kV/s,确保在恶劣的功率开关噪声环境下稳定工作。
该器件输出驱动能力强,峰值输出电流达4A,可快速驱动MOSFET或IGBT等功率开关管。其输出侧供电电压范围宽(4.5V~18V),工作温度范围覆盖-40°C至125°C,并采用16-SOIC宽体封装,满足工业级应用对可靠性、安全性和宽工作条件的要求,是电机驱动、太阳能逆变器、工业电源等高压隔离驱动应用的理想选择。



















