
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:16-SOIC
- 技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
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ADUM4221ARIZ-RL是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能、高集成度的隔离式半桥栅极驱动器。该器件采用ADI公司先进的iCoupler磁隔离技术,在单芯片内集成了两个独立的隔离通道,分别用于驱动半桥拓扑结构中的高端和低端功率开关管(如IGBT)。这种架构不仅实现了输入侧逻辑控制电路与输出侧高压功率电路之间高达5 kV rms的电气隔离,有效抑制了共模噪声和地电位差带来的干扰,还显著简化了系统设计,提升了整体可靠性。
其功能设计充分考虑了功率转换系统的严苛需求。芯片内置了可编程死区时间控制功能,用户可通过外部电阻灵活设置,有效防止半桥上下管因开关延迟而导致的直通短路风险,这对于保障系统安全运行至关重要。同时,器件集成了欠压锁定(UVLO)保护机制,持续监控两侧电源电压,一旦检测到电压低于安全阈值,便会强制关闭输出,确保功率管在非理想供电条件下也能得到可靠保护。在动态性能方面,高达4A灌电流和6A拉电流的峰值驱动能力,结合典型值仅为25ns和30ns的快速上升/下降时间,能够高效驱动大容性负载,显著降低开关损耗,优化系统效率。
在接口与电气参数上,ADUM4221ARIZ-RL展现出高度的适应性和鲁棒性。其输入侧兼容宽范围逻辑电平(VIL=1.5V, VIH=3.5V),供电电压范围为2.5V至6.5V,便于与主流微控制器或DSP直接接口。输出侧专为驱动IGBT等功率器件优化。器件采用16引脚SOIC宽体封装,具备优异的爬电距离和电气间隙,并通过卷带(TR)包装供货,适合自动化表面贴装生产。其工作结温范围覆盖-40°C至125°C,确保在工业级严酷环境下稳定工作。
基于其强大的隔离驱动与保护特性,ADUM4221ARIZ-RL非常适用于需要高可靠性和安全隔离的中高功率应用场景。典型应用包括工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电动汽车的车载充电机等。在这些系统中,它不仅负责精确控制功率开关,还构建了关键的信号与安全隔离屏障。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理获取完整的供应链服务与本地化技术支持。
- 型号:ADUM4221ARIZ-RL
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-SOIC
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT
- 电压 - 供电:2.5V ~ 6.5V
- 逻辑电压- VIL,VIH:1.5V,3.5V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,6A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):25ns,30ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:16-SOIC
- ADUM4221ARIZ-RL优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
ADUM4221ARIZ-RL是ADI公司一款基于iCoupler磁隔离技术的双通道、隔离式半桥栅极驱动器IC。该器件专为驱动IGBT等功率开关管设计,集成了可编程死区时间控制和欠压锁定(UVLO)保护功能,能有效防止直通并确保驱动安全。
其具备优异的动态性能,提供4A灌电流和6A拉电流的峰值驱动能力,开关上升/下降时间典型值分别为25ns和30ns,有助于降低开关损耗。器件支持2.5V至6.5V的宽逻辑电源电压,工作温度范围为-40°C至125°C,采用16-SOIC宽体封装,适用于要求高可靠性的工业电源与电机驱动系统。



















