
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:16-SOIC
- 技术参数:DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR 16SOIC
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ADUM4221-2BRIZ是一款采用iCoupler磁隔离技术的单通道隔离式栅极驱动器,专为驱动功率MOSFET和IGBT设计。其核心架构基于亚德诺半导体(ADI)成熟的芯片级变压器技术,实现了信号与电源在单芯片上的高可靠性隔离。这种磁耦合技术摒弃了传统光耦器件的光电转换环节,从根本上避免了LED老化带来的性能衰减问题,确保了在严苛工业环境下长期工作的稳定性和寿命。
该器件集成了两个独立的隔离通道,分别用于传输高侧和低侧驱动信号,非常适合构建半桥或非对称桥式拓扑。其高达5700Vrms的隔离电压和150kV/s的最小共模瞬变抗扰度(CMTI),使其能够有效抵御功率开关动作时产生的高压毛刺和地电位剧烈波动,防止误触发,保障系统安全。在动态性能方面,ADUM4221-2BRIZ表现出色,传播延迟典型值低至33ns(tpLH)和44ns(tpHL),最大脉宽失真仅为16ns,配合25ns和30ns的典型上升/下降时间,为高频开关应用提供了精确、快速的信号传输能力。
在接口与电气参数上,该驱动器支持4.5V至35V的宽范围输出侧供电电压,兼容多种功率器件的栅极驱动需求。其峰值输出电流能力达到4A,可直接驱动中大功率开关管,简化了外部缓冲电路的设计。器件采用紧凑的16引脚SOIC宽体封装,满足表面贴装要求,工作温度范围覆盖-40°C至125°C的工业级标准,确保了在极端温度环境下的可靠运行。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过正规的ADI中国代理获取原装正品和技术支持。
基于其强大的隔离与驱动性能,ADUM4221-2BRIZ广泛应用于工业电机驱动、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、伺服控制系统以及电动汽车的充电模块和车载电源等场景。在这些应用中,它不仅是实现安全隔离、保护低压控制电路的关键元件,其快速的开关特性也直接提升了整个功率转换系统的效率和功率密度。
- 型号:ADUM4221-2BRIZ
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-SOIC
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR 16SOIC
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 通道数:2
- 电压 - 隔离:5700Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):150kV/s
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):33ns,44ns
- 脉宽失真(最大):16ns
- 上升/下降时间(典型值):25ns,30ns
- 电流 - 输出高、低:-
- 电流 - 峰值输出:4A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
- 电压 -输出供电:4.5V ~ 35V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:16-SOIC
- 认证机构:CQC,CSA,UL,VDE
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ADUM4221-2BRIZ是ADI推出的一款高性能、单通道隔离式栅极驱动器。它采用磁耦合隔离技术,提供高达5700Vrms的电气隔离和150kV/s的卓越共模瞬变抗扰度,能有效确保在噪声环境下的信号完整性。
该器件具备优异的动态特性,最大传播延迟仅44ns,脉宽失真低至16ns,配合4A的峰值输出电流和4.5V至35V的宽输出供电范围,能够高效、可靠地驱动功率MOSFET和IGBT。其工业级温度范围(-40°C至125°C)和紧凑的SOIC封装,使其成为要求高可靠性与高功率密度的电机驱动、太阳能逆变器及电源转换系统的理想选择。



















