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ADUM4152ARIZ-RL 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:隔离器 > 数字隔离器,封装:20-SOIC-IC
  • 技术参数:DGTL ISOLTR 5KV 7CH SPI 20-SOIC
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ADUM4152ARIZ-RL 技术参数详情:

作为一款高性能数字隔离器,ADUM4152ARIZ-RL采用了Analog Devices成熟的iCoupler磁隔离技术。其核心架构基于芯片级变压器,通过聚酰亚胺薄膜层实现信号与电源的电气隔离,这种设计摒弃了传统光耦的光电转换方式,从而在性能、可靠性和集成度上实现了显著提升。该技术不仅确保了信号传输的完整性,还提供了卓越的抗电磁干扰能力,使其在复杂的工业环境中能够稳定工作。

该器件集成了7个独立的隔离通道,其配置为4个正向通道和3个反向通道,专门针对SPI(串行外设接口)总线通信进行了优化。它提供了高达5000Vrms的电气隔离电压,并具备25kV/s的卓越共模瞬变抗扰度,能够有效抑制高压侧与低压侧之间的快速电压瞬变,防止数据错误和系统锁死。其数据传输速率最高可达2Mbps,同时保持了极低的信号延迟,传播延迟最大值仅为25ns,脉宽失真最大不超过3ns,确保了高速通信的时序精度和实时性。

在接口与电气参数方面,ADUM4152ARIZ-RL支持3V至5.5V的宽范围供电电压,能够兼容多种微控制器和逻辑电平,简化了系统电源设计。其典型上升和下降时间仅为2.5ns,保证了信号边沿的陡峭与清晰。器件采用表面贴装型的20引脚SOIC封装,工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至125°C,确保了在严苛环境下的长期可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理获取该产品及相关服务。

凭借其高集成度与针对性的设计,该芯片非常适合应用于需要高电压隔离和可靠数据交换的场合。典型应用包括工业自动化系统中的电机驱动与PLC通信、可再生能源领域的光伏逆变器和储能系统管理、以及医疗设备中需要隔离的精密数据采集模块。它能够为SPI总线提供完整的隔离解决方案,有效保护低压控制侧免受高压功率侧的干扰和潜在损坏,是构建安全、可靠工业系统的关键组件。

  • 型号:ADUM4152ARIZ-RL
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:20-SOIC-IC
  • 类目:隔离器 > 数字隔离器
  • 描述:DGTL ISOLTR 5KV 7CH SPI 20-SOIC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:磁耦合
  • 类型:SPI
  • 隔离式电源:无
  • 通道数:7
  • 输入 - 侧 1/侧 2:4/3
  • 通道类型:单向
  • 电压 - 隔离:5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值):25kV/s
  • 数据速率:2Mbps
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):25ns,25ns
  • 脉宽失真(最大):3ns
  • 上升/下降时间(典型值):2.5ns,2.5ns
  • 电压 - 供电:3V ~ 5.5V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:20-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:20-SOIC-IC
  • ADUM4152ARIZ-RL优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

ADUM4152ARIZ-RL是ADI公司推出的一款基于磁耦合技术的7通道数字隔离器,专为SPI接口隔离而设计。该器件提供高达5000Vrms的电气隔离和25kV/s的共模瞬态抗扰度,确保了在高压噪声环境下的信号完整性与系统安全。

其通道配置为4/3(正向/反向),支持最高2Mbps的数据速率,同时具备低至25ns的传播延迟和3ns的脉宽失真,满足了高速、精准的实时通信需求。器件工作电压范围为3V至5.5V,采用20-SOIC封装,可在-40°C至125°C的宽温范围内稳定工作,适用于要求严苛的工业与能源应用。

AD7686:16位、500 kSPS PulSAR ADC,采用MSOP或QFN封装
ADM1293:集成PMBus 接口的数字电源监控器
LTC2850:3.3V 20Mbps RS485/RS422 收发器
ADSP-21371:面向汽车音频的32位高性能浮点SHARC处理器
LTC4300A-2:可热插拔的两线式总线缓冲器
LT1962:300mA、低噪声 、微功率 LDO 稳压器
LTC4300A-1:可热插拔的两线式总线缓冲器
AD9631:单位增益稳定、超低失真、高速运算放大器
LTC4212:具上电超时电路的热插拔控制器
ADL8106:GaAs pHEMT低噪声放大器,20 GHz至54 GHz
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