
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:8-SOIC-IC
- 技术参数:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC
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作为一款高性能的隔离式栅极驱动器,ADUM4121-1CRIZ-RL采用了ADI公司先进的iCoupler磁隔离技术。其核心架构通过片上变压器实现信号与能量的传输,在单芯片内集成了信号隔离与功率驱动功能,无需外部光耦或分立式隔离电源,从而简化了系统设计并提升了可靠性。该架构能够实现高达5000Vrms的电气隔离,有效阻断高压侧与低压侧之间的危险电位差,为人员和设备提供安全保障。
该器件具备卓越的动态性能,其传播延迟最大值分别为42ns(tpLH)和53ns(tpHL),脉宽失真最大仅为13ns,而典型的上升与下降时间均为18ns。这些特性确保了精确的开关时序控制,对于要求严苛的功率开关应用至关重要。同时,其高达150kV/s的最小共模瞬变抗扰度(CMTI)使其在功率器件快速开关产生的高噪声环境下依然能稳定工作,避免误触发。输出级能够提供高达2.3A的峰值拉/灌电流,可直接驱动中高功率的MOSFET或IGBT,确保开关管的快速导通与关断,降低开关损耗。
在接口与工作参数方面,该芯片采用单通道设计,输出侧供电电压范围宽达11.6V至35V,兼容多种栅极驱动电压需求。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C的工业级标准,采用表面贴装型的8引脚SOIC封装,便于集成到紧凑的PCB布局中。这些参数共同定义了一个坚固、灵活且易于使用的驱动解决方案。对于需要可靠货源和技术支持的工程师,可以通过正规的ADI中国代理获取该产品及相关设计资源。
基于其强大的隔离与驱动能力,ADUM4121-1CRIZ-RL非常适合应用于工业自动化、电机驱动、光伏逆变器、不间断电源(UPS)以及充电桩等场景。在这些系统中,它能够安全、高效地驱动功率开关管,实现主控制器(低压侧)与功率级(高压侧)之间的可靠信号连接,是构建高性能、高安全性功率转换系统的关键组件。
- 型号:ADUM4121-1CRIZ-RL
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SOIC-IC
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 通道数:1
- 电压 - 隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):150kV/s
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):42ns,53ns
- 脉宽失真(最大):13ns
- 上升/下降时间(典型值):18ns,18ns
- 电流 - 输出高、低:-
- 电流 - 峰值输出:2.3A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
- 电压 -输出供电:11.6V ~ 35V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC-IC
- 认证机构:CSA,UR,VDE
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ADUM4121-1CRIZ-RL是ADI公司基于iCoupler技术推出的一款单通道、隔离式栅极驱动器。它集成了信号隔离与功率驱动于一体,提供高达5000Vrms的电气隔离和150kV/s的卓越共模瞬变抗扰度,确保在恶劣的噪声环境下信号传输的完整性与系统安全。
该器件具备出色的动态性能,最大传播延迟为53ns,典型上升/下降时间为18ns,并能提供2.3A的峰值输出电流,可高效驱动MOSFET或IGBT。其宽输出供电范围(11.6V至35V)和-40°C至125°C的工业级工作温度范围,使其成为工业电机驱动、电源转换和可再生能源系统等高压应用中理想的驱动解决方案。



















