
- 制造厂商:AD
- 类别封装:隔离器 - 栅极驱动器,封装:8-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 技术参数:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8SOIC
- (丰富的AD公司产品,AD芯片采购平台)
- (提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格)

ADUM4121-1BRIZ-RL 技术参数详情:
还在为高压隔离与栅极驱动电路设计的复杂性与可靠性而烦恼吗?ADUM4121-1BRIZ-RL为您提供一站式解决方案。这颗芯片能为您做什么?它首先是一位强大的“安全卫士”,凭借ADI独有的iCoupler磁隔离技术,在您的系统高低压侧之间建立起高达5000Vrms的电气隔离墙,并以150kV/s的卓越抗干扰能力,确保控制信号在恶劣噪声环境中纯净无染。
同时,它更是一位高效的“动力指挥官”。它集成了峰值输出达2.3A的栅极驱动能力,能直接、快速地驱动MOSFET或IGBT,让您的功率开关动作既强劲又精准。超低的传播延迟(最快42ns)和上升时间(典型18ns),意味着它能帮助您实现更高的开关频率和更优的系统效率。无论是简化电路板布局,还是提升整体可靠性,ADUM4121-1BRIZ-RL都能让您的设计工作变得更轻松、更高效。
- 制造商产品型号:ADUM4121-1BRIZ-RL
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8SOIC
- 系列:隔离器 - 栅极驱动器
- 产品系列:iCoupler
- 零件状态:有源
- 技术:磁耦合
- 通道数:1
- 电压-隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):150kV/s
- 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):42ns,53ns
- 脉宽失真(最大):13ns
- 上升/下降时间(典型值):18ns,18ns
- 电流-输出高、低:-
- 电流-峰值输出:2.3A
- 电压-正向(Vf)(典型值):-
- 电流-DC正向(If)(最大值):-
- 电压-输出供电:7.5V ~ 35V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC-IC
- ADUM4121-1BRIZ-RL优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
ADCMP605:轨到轨、2.5 V至5.5 V、单电源LVDS极快型比较器,采用6引脚SC70封装
HMC362-DIE:InGaP HBT Divide-by-4 Chip, DC - 11 GHz
LTC2236:10 位、25Msps、低噪声 3V ADC
LTC1864:采用 MSOP 封装的微功率、16 位、250ksps 单通道和双通道ADC
HMC855:提供可编程输出电压的28 Gbps 1:4解复用器,采用SMT封装
AD53509G:单芯片、高性能驱动器/比较器有源负载
LTC2301:具有I2C兼容型接口的单通道、12位ADC
HMC-AUH320:中等功率放大器芯片,71 - 86 GHz
LT6411:650MHz 差分 ADC 驱动器 / 双通道可选增益放大器
LT1016:超快精准 10ns 比较器

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