
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:6-SOIC-IC
- 技术参数:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SOIC
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ADUM4120ARIZ-RL是一款基于ADI公司iCoupler磁隔离技术的单通道隔离式栅极驱动器。该器件采用先进的芯片级变压器实现信号与功率传输,其核心架构将逻辑输入、隔离屏障和强大的栅极驱动输出集成于一个紧凑的6引脚SOIC封装内。这种磁耦合技术不仅提供了高达5000Vrms的电气隔离,确保了高压侧与低压侧之间的安全屏障,还实现了优异的抗噪性能,其共模瞬态抗扰度(CMTI)高达150kV/s,能在严苛的功率开关环境中稳定工作,有效防止误触发。
在功能实现上,该驱动器集成了去饱和(DESAT)检测与米勒钳位功能,为IGBT和SiC MOSFET等功率开关器件提供了关键的保护。去饱和检测能够监控功率器件的集电极-发射极电压,在发生过流或短路时快速响应并安全关断,防止器件损坏。米勒钳位功能则通过在关断期间提供一个低阻抗路径,有效抑制因米勒电容效应引起的栅极电压尖峰和意外导通,提升了系统的可靠性。其输出级能够提供高达2.3A的峰值拉电流和灌电流,确保了对功率开关栅极电容的快速充放电,从而优化开关效率并降低损耗。
该器件的接口设计简洁高效,输入侧兼容宽范围逻辑电平,输出侧供电电压范围宽达4.5V至35V,使其能够灵活适配多种功率器件的栅极驱动需求。其动态性能卓越,传播延迟典型值低至69ns (tpLH) 和 79ns (tpHL),脉宽失真最大仅为16.5ns,上升与下降时间均为18ns,这些参数共同保证了精确的时序控制和极低的信号失真,对于实现高频、高效率的功率转换拓扑至关重要。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C,采用表面贴装封装,适用于工业级应用环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过ADI一级代理商获取此产品及相关服务。
基于其高性能与高可靠性,ADUM4120ARIZ-RL非常适合应用于对安全隔离和驱动性能要求严苛的场合。典型应用包括工业电机驱动、伺服控制系统、光伏逆变器、不间断电源(UPS)以及电动汽车的车载充电机(OBC)和牵引逆变器。在这些系统中,它能够安全、高效地驱动IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,是实现紧凑、高效且鲁棒的功率电子设计的理想选择。
- 型号:ADUM4120ARIZ-RL
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:6-SOIC-IC
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SOIC
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 通道数:1
- 电压 - 隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):150kV/s
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):69ns,79ns
- 脉宽失真(最大):16.5ns
- 上升/下降时间(典型值):18ns,18ns
- 电流 - 输出高、低:-
- 电流 - 峰值输出:2.3A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
- 电压 -输出供电:4.5V ~ 35V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:6-SOIC-IC
- 认证机构:CSA,UR,VDE
- ADUM4120ARIZ-RL优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
ADUM4120ARIZ-RL是ADI公司推出的一款单通道、隔离式栅极驱动器,隶属于iCoupler产品系列。该器件采用磁耦合隔离技术,提供高达5000Vrms的电气隔离和150kV/s的卓越共模瞬态抗扰度,确保在高压噪声环境下的信号完整性与系统安全。
其核心特性包括集成去饱和(DESAT)故障检测与米勒钳位功能,为功率开关器件提供关键保护。驱动器具备2.3A的峰值输出电流能力,结合低至69ns/79ns的传播延迟和16.5ns的最大脉宽失真,可实现快速、精确的开关控制。宽范围输出侧电源电压(4.5V至35V)使其能灵活匹配IGBT、SiC MOSFET等多种功率器件。



















