
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:6-SOIC-IC
- 技术参数:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SOIC
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作为一款采用磁耦合技术的单通道隔离式栅极驱动器,ADUM4120-1CRIZ-RL隶属于ADI(亚德诺半导体)iCoupler产品家族,专为在高电压、高噪声环境中安全、可靠地驱动功率开关器件而设计。其核心架构基于ADI成熟的iCoupler磁隔离技术,通过在单芯片内集成隔离层、信号传输通道以及高电流输出级,实现了信号与功率的完整隔离传输。这种架构不仅确保了高达5000Vrms的电气隔离强度,其优异的共模瞬变抗扰度(CMTI)最小值达到150kV/s,使其在功率转换系统发生快速电压瞬变时,能有效抑制噪声干扰,避免输出信号的误触发,保障系统稳定运行。
该器件在功能上实现了输入侧逻辑信号与输出侧高功率驱动信号的完全电气隔离。其输出级具备2.3A的峰值拉/灌电流能力,能够快速对功率MOSFET或IGBT的栅极电容进行充放电,从而有效降低开关损耗并提升系统效率。在时序性能方面,ADUM4120-1CRIZ-RL表现出色,其最大传播延迟分别为42ns (tpLH) 和58ns (tpHL),最大脉宽失真仅为16.5ns,典型上升/下降时间均为18ns。这些精确且一致的时序特性对于实现高频开关电源的精确控制、最小化死区时间以及提升多相并联系统的均流性能至关重要。工程师在选型时,可通过专业的ADI代理商获取详细的技术支持与样品。
在接口与参数层面,该芯片采用单电源供电设计,其输出侧供电电压范围宽达11.6V至35V,这使其能够灵活适配不同电压等级的功率器件栅极驱动需求。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C的工业级标准,确保了在严苛环境下的可靠性。器件采用紧凑的6引脚SOIC封装,便于在空间受限的PCB布局中进行表面贴装。其高集成度设计减少了外部元件数量,有助于简化系统设计、节省板级空间并提升整体可靠性。
基于其强大的隔离能力、快速的开关性能以及高驱动电流,ADUM4120-1CRIZ-RL非常适合应用于对安全性和性能要求极高的场景。典型应用包括工业电机驱动、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、服务器电源以及电动汽车的车载充电机(OBC)和直流-直流变换器。在这些应用中,它能够安全地隔离微控制器等低压控制电路与高压功率母线,同时提供强劲、快速的栅极驱动,是实现高效、紧凑且可靠的功率转换系统的关键组件。
- 型号:ADUM4120-1CRIZ-RL
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:6-SOIC-IC
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SOIC
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 通道数:1
- 电压 - 隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):150kV/s
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):42ns,58ns
- 脉宽失真(最大):16.5ns
- 上升/下降时间(典型值):18ns,18ns
- 电流 - 输出高、低:-
- 电流 - 峰值输出:2.3A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
- 电压 -输出供电:11.6V ~ 35V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:6-SOIC-IC
- 认证机构:CSA,UR,VDE
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ADUM4120-1CRIZ-RL是ADI公司推出的一款基于iCoupler磁隔离技术的单通道隔离栅极驱动器。该器件提供高达5000Vrms的电气隔离和150kV/s的最小共模瞬变抗扰度,确保在高压噪声环境下的信号完整性与系统安全。
其核心优势在于优异的开关性能,具备2.3A峰值输出电流,可快速驱动功率MOSFET/IGBT。最大传播延迟低至58ns,脉宽失真最大仅16.5ns,配合11.6V至35V的宽输出供电范围,使其非常适用于要求高效率和高可靠性的工业电源与电机驱动系统。



















