
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:16-SOIC
- 技术参数:DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR 16SOIC
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ADUM3223WCRZ是亚德诺半导体(Analog Devices)面向汽车级应用推出的一款高性能、双通道、隔离式栅极驱动器。该器件采用先进的iCoupler磁隔离技术,在单芯片内集成了信号隔离与功率驱动功能,实现了逻辑控制侧与高压功率侧之间高达3000Vrms的电气隔离。这种基于芯片级变压器的磁耦合架构,相比传统的光耦隔离方案,在数据传输速率、时序精度、功耗以及长期可靠性方面具有显著优势,尤其适合在恶劣的电磁环境下工作。
该驱动器的核心功能在于提供强大且精确的驱动能力,以控制功率开关器件如IGBT或MOSFET。其输出端能够提供高达4A的峰值拉电流和灌电流,确保功率管能够快速、可靠地开启和关断,从而有效降低开关损耗。极低的传播延迟(最大值54ns)以及匹配良好的上升/下降时间(典型值12ns),使得系统能够实现高精度的PWM控制,这对于电机驱动、逆变器等要求严格时序的应用至关重要。同时,其优异的共模瞬变抗扰度(CMTI)高达50kV/s,能够有效抑制功率侧开关动作产生的高压噪声毛刺对控制逻辑侧的干扰,保障了系统在高压、大电流切换环境下的稳定运行。
在接口与电气参数方面,ADUM3223WCRZ设计周全。其输入侧兼容宽范围的逻辑电平,输出侧供电电压范围为11.5V至18V,可直接为功率器件的栅极提供合适的驱动电压。器件采用紧凑的16引脚SOIC宽体封装,满足表面贴装(SMT)工艺要求,便于在空间受限的PCB上进行布局。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C的汽车级标准,确保了在极端温度环境下的性能与可靠性。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过ADI中国代理获取产品、样片以及详细的设计资源。
基于其高隔离耐压、强抗干扰能力和宽温工作特性,ADUM3223WCRZ非常适合应用于对安全性和可靠性要求极高的领域。典型应用包括新能源汽车的牵引电机逆变器、车载充电机(OBC)、DC-DC转换器,以及工业领域的伺服驱动器、不间断电源(UPS)和太阳能逆变器。在这些场景中,它作为连接微控制器与功率模块的关键桥梁,不仅实现了安全隔离,更通过其强大的驱动性能和精准的时序控制,提升了整个功率转换系统的效率、功率密度和长期运行稳定性。
- 型号:ADUM3223WCRZ
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-SOIC
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR 16SOIC
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 通道数:2
- 电压 - 隔离:3000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):50kV/s
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):54ns,54ns
- 脉宽失真(最大):-
- 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
- 电流 - 输出高、低:-
- 电流 - 峰值输出:4A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
- 电压 -输出供电:11.5V ~ 18V
- 等级:汽车级
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:16-SOIC
- 认证机构:CSA,UR,VDE
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ADUM3223WCRZ是一款采用磁耦合隔离技术的汽车级、双通道栅极驱动器。它提供3000Vrms的电气隔离和高达50kV/s的共模瞬变抗扰度,确保在高压噪声环境下的信号完整性。
该器件具备强大的4A峰值输出电流能力,结合最大54ns的传播延迟和12ns的典型上升/下降时间,能够实现对IGBT和MOSFET等功率开关的高速、精准驱动。其工作温度范围为-40°C至125°C,输出侧供电电压为11.5V至18V,采用16-SOIC封装,专为要求高可靠性和高性能的汽车与工业功率应用而设计。



















