
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:16-SOIC
- 技术参数:DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR 16SOIC
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ADUM3223WARZ是亚德诺半导体(ADI)推出的一款面向汽车应用的双通道、高性能栅极驱动器隔离器。该器件采用基于iCoupler技术的磁耦合隔离架构,通过片上变压器实现信号和功率传输,从而在输入与输出之间建立了可靠且耐用的电气隔离屏障。这种架构不仅实现了高达3000Vrms的隔离电压,确保了高压侧与低压侧之间的安全隔离,还提供了优异的抗电磁干扰能力,其共模瞬变抗扰度(CMTI)最小值达到50kV/s,使其在开关电源、电机驱动等存在剧烈电压摆动的噪声环境中能够稳定工作,避免误触发。
在功能实现上,该器件集成了两个独立的隔离通道,每个通道均能提供高达4A的峰值拉电流和灌电流输出,可直接驱动功率MOSFET或IGBT。其输出级设计支持4.5V至18V的宽范围供电电压,为不同功率器件的栅极驱动需求提供了灵活性。信号传输性能方面,传播延迟典型值极低且通道间匹配度高,最大传播延迟仅为59ns,典型上升/下降时间为12ns,这有效降低了开关损耗并提高了系统效率,同时确保了多通道并联应用时开关动作的同步性,对于需要精确时序控制的应用至关重要。
器件的接口与参数设计充分考虑了工业与汽车应用的严苛要求。它采用标准的16引脚SOIC宽体封装,便于表面贴装并满足爬电距离和电气间隙要求。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C,符合AEC-Q100标准,确保了在汽车引擎舱等极端温度环境下的长期可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过ADI中国代理获取正品器件和技术支持。这些特性使其成为构建高可靠性隔离式功率转换系统的核心组件。
基于其强大的隔离能力、快速的驱动性能以及汽车级的可靠性,ADUM3223WARZ非常适合应用于混合动力和电动汽车(HEV/EV)中的牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器,以及工业电机驱动、不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等场景。在这些应用中,它能够安全、高效地驱动高压功率开关,同时保护低压控制电路免受高压浪涌和噪声的影响,是提升系统整体性能和安全等级的关键元器件。
- 型号:ADUM3223WARZ
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-SOIC
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR 16SOIC
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 通道数:2
- 电压 - 隔离:3000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):50kV/s
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):59ns,59ns
- 脉宽失真(最大):-
- 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
- 电流 - 输出高、低:-
- 电流 - 峰值输出:4A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
- 电压 -输出供电:4.5V ~ 18V
- 等级:汽车级
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:16-SOIC
- 认证机构:CSA,UR,VDE
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ADUM3223WARZ是ADI公司的一款汽车级、双通道栅极驱动器隔离器,采用磁耦合技术实现高达3000Vrms的电气隔离。该器件专为驱动功率MOSFET和IGBT设计,每通道可提供4A的峰值输出电流,并具备低于60ns的快速传播延迟和12ns的典型开关速度,确保高效、精确的功率开关控制。
其关键特性包括高达50kV/s的卓越共模瞬变抗扰度,能在嘈杂的功率环境中稳定工作,以及4.5V至18V的宽输出供电范围,适配多种栅极驱动电压需求。器件工作温度范围为-40°C至125°C,采用16-SOIC封装,满足汽车电子应用的严苛可靠性要求,是电动汽车电驱系统、工业电机驱动及隔离式电源等高性能应用的理想选择。



















