
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:8-SOIC
- 技术参数:DGTL ISO 2.5KV 2CH GT DVR 8SOIC
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ADUM3220WARZ-RL7是一款基于iCoupler磁隔离技术的双通道栅极驱动器,专为在恶劣的工业与汽车电子环境中驱动功率MOSFET和IGBT而设计。该器件采用Analog Devices先进的芯片级变压器技术,在单芯片内集成了信号隔离与高电流驱动能力,实现了高达2500Vrms的电气隔离,有效阻断了高压侧与低压侧之间的危险电位差,为系统提供了可靠的安全屏障。其磁耦合技术避免了光耦器件常见的老化、温度漂移问题,确保了信号传输在宽温度范围内的长期稳定性。
该器件具备卓越的抗干扰性能,其共模瞬变抗扰度(CMTI)最小值达到25kV/s,这使其在开关电源、电机驱动等存在剧烈电压跳变的场景中,能够有效抑制噪声干扰,防止误触发,保障了驱动的精确性与系统的鲁棒性。其传播延迟典型值低至60ns,且两个通道间的延迟匹配度极高,脉宽失真极小,配合典型值20ns的快速上升/下降时间,能够实现对功率开关器件的精准、高效控制,有助于提升系统效率并降低开关损耗。
在接口与电气参数方面,ADUM3220WARZ-RL7的输出侧供电电压范围宽达4.5V至18V,兼容多种逻辑电平,为设计提供了灵活性。其峰值输出电流能力高达4A,可直接驱动大多数中高功率开关管,简化了外围电路。器件采用紧凑的8引脚SOIC宽体封装,满足表面贴装要求,并支持-40°C至125°C的扩展工作温度范围,完全符合汽车级(Automotive)产品的严苛标准。对于需要可靠隔离解决方案的设计师而言,通过专业的ADI芯片代理获取原装正品和技术支持至关重要。
基于上述特性,该芯片非常适合应用于需要高可靠性隔离的场合,例如工业电机驱动、伺服控制系统、光伏逆变器、不间断电源(UPS)以及电动汽车的OBC(车载充电机)和DC-DC转换器等。在这些应用中,它不仅能实现控制电路与功率电路的安全隔离,其快速的动态响应和强大的驱动能力更是优化系统性能、提升功率密度的关键所在。
- 型号:ADUM3220WARZ-RL7
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DGTL ISO 2.5KV 2CH GT DVR 8SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 通道数:2
- 电压 - 隔离:2500Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):25kV/s
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):60ns,60ns
- 脉宽失真(最大):-
- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns
- 电流 - 输出高、低:-
- 电流 - 峰值输出:4A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
- 电压 -输出供电:4.5V ~ 18V
- 等级:汽车级
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 认证机构:CSA,UR,VDE
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ADUM3220WARZ-RL7是ADI公司推出的一款汽车级、双通道隔离式栅极驱动器。该器件采用磁耦合(iCoupler)技术,提供高达2500Vrms的可靠电气隔离,并具备最低25kV/s的卓越共模瞬变抗扰度,确保在噪声环境下稳定工作。
其技术参数表现出色,最大传播延迟仅为60ns,典型上升/下降时间为20ns,可实现高速、精确的开关控制。器件支持4.5V至18V的宽输出供电范围,峰值输出电流达4A,能够直接驱动功率MOSFET和IGBT。其工作温度范围为-40°C至125°C,采用8-SOIC封装,满足汽车及工业应用对高性能与高可靠性的严苛要求。



















