
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:8-SOIC
- 技术参数:DGTL ISO 3KV 1CH GATE DVR 8SOIC
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作为一款采用iCoupler磁隔离技术的单通道栅极驱动器,ADUM3123ARZ的核心架构集成了ADI公司先进的芯片级变压器技术。该技术通过磁耦合方式跨越隔离栅传输信号,相较于传统光耦方案,不仅消除了LED老化带来的可靠性问题,还实现了更高的集成度与更优的时序性能。其内部集成了隔离电源所需的变压器和信号传输通道,在单芯片内完成了信号与能量的隔离传输,为系统设计提供了高可靠性的单芯片解决方案。
在功能表现上,该器件具备3000Vrms的强化绝缘等级,能够有效阻断高压侧与低压侧之间的危险电位差,保障低压控制电路的安全。其高达50kV/s的共模瞬变抗扰度(CMTI)确保了在功率器件高速开关产生的剧烈噪声环境下,输出信号依然稳定可靠,避免了误触发。驱动能力方面,4A的峰值拉/灌电流使其能够直接、快速地驱动IGBT、MOSFET等功率开关管,有效降低开关损耗。其传播延迟典型值低至68ns,且上升/下降时间仅为12ns,这些优异的动态特性对于高频开关电源、电机驱动等要求精确时序控制的应用至关重要。
该芯片的接口设计简洁高效。其输入侧兼容宽范围逻辑电平,输出侧供电电压范围为4.5V至18V,可灵活适配不同功率器件的栅极驱动电压需求。器件采用标准的8引脚SOIC封装,便于表面贴装,节省PCB空间。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至125°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠隔离驱动方案的客户,通过正规的ADI授权代理渠道获取此产品,是保障原装正品和完整技术支持的关键。
基于其强大的隔离驱动能力与快速的开关特性,ADUM3123ARZ非常适合应用于工业自动化、可再生能源以及电机控制等领域。具体而言,它在光伏逆变器、不间断电源(UPS)、伺服驱动器、工业变频器以及隔离式DC-DC变换器中扮演着关键角色,负责安全、高效地驱动功率模块,实现电能的高效转换与精密控制,是构建高可靠性功率系统的理想选择。
- 型号:ADUM3123ARZ
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DGTL ISO 3KV 1CH GATE DVR 8SOIC
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 通道数:1
- 电压 - 隔离:3000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):50kV/s
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):68ns,68ns
- 脉宽失真(最大):-
- 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
- 电流 - 输出高、低:-
- 电流 - 峰值输出:4A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
- 电压 -输出供电:4.5V ~ 18V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 认证机构:CSA,UR,VDE
- ADUM3123ARZ优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
ADUM3123ARZ是ADI公司基于iCoupler磁隔离技术推出的单通道栅极驱动器。该器件提供3000Vrms的电气隔离,并具备高达50kV/s的卓越共模瞬变抗扰度,确保在恶劣的功率开关噪声环境中稳定工作。
其核心优势在于强大的驱动能力与快速的动态响应。器件可提供4A的峰值输出电流,能够直接高效地驱动IGBT和MOSFET等功率开关。同时,其传播延迟低至68ns,上升/下降时间仅为12ns,这为高频开关应用提供了精确的时序控制,有助于优化系统效率与性能。



















