
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:8-SOIC
- 技术参数:DGTL ISO 3KV 1CH GATE DVR 8SOIC
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ADUM3123ARZ-RL7是一款基于ADI公司iCoupler磁隔离技术的单通道栅极驱动器。该器件采用先进的芯片级变压器实现信号与电源的隔离,其核心架构将高速CMOS电路与单片空芯变压器相结合,摒弃了传统光耦器件中依赖LED和光电二极管的光电转换模式。这种磁耦合技术不仅消除了与光耦老化相关的性能衰减问题,还为实现更高的集成度、更优异的时序性能和更强的抗干扰能力奠定了基础。
该驱动器具备3000Vrms的增强型隔离电压,能够有效阻断高压侧与低压侧之间的危险电位差,确保系统安全。其共模瞬变抗扰度(CMTI)高达50kV/s,这意味着在功率开关管(如IGBT或MOSFET)快速切换产生剧烈电压跳变时,驱动器输出能够保持稳定,有效防止误触发,这对于现代高频开关电源和电机驱动应用至关重要。器件的传播延迟典型值极低,且上升/下降时间快至12ns,有助于实现精确的PWM控制,提升系统效率并降低开关损耗。
在接口与电气参数方面,ADUM3123ARZ-RL7的输出侧供电范围宽达4.5V至18V,兼容多种功率器件的栅极驱动电压需求。其峰值输出电流能力达到4A,能够快速对功率开关管的栅极电容进行充放电,从而确保开关管的快速导通与关断,减少开关过渡时间。器件采用标准的8引脚SOIC封装,支持表面贴装工艺,便于集成到高密度PCB设计中。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C的工业级标准,保证了在严苛环境下的可靠运行。用户可以通过ADI授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。
该芯片典型应用于需要高可靠性电气隔离的功率转换领域。例如,在工业电机驱动器中,它可用于驱动三相逆变桥中的高边或低边IGBT/MOSFET;在太阳能逆变器或UPS不间断电源中,用于实现控制电路与高压功率级的隔离驱动;此外,也广泛应用于伺服驱动器、PLC数字输出模块以及充电桩等场合。其优异的抗干扰能力和快速开关特性,使其成为提升系统功率密度、效率及可靠性的关键组件。
- 型号:ADUM3123ARZ-RL7
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DGTL ISO 3KV 1CH GATE DVR 8SOIC
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 通道数:1
- 电压 - 隔离:3000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):50kV/s
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):68ns,68ns
- 脉宽失真(最大):-
- 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
- 电流 - 输出高、低:-
- 电流 - 峰值输出:4A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
- 电压 -输出供电:4.5V ~ 18V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 认证机构:CSA,UR,VDE
- ADUM3123ARZ-RL7优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
ADUM3123ARZ-RL7是ADI公司推出的一款采用iCoupler磁隔离技术的单通道栅极驱动器。该器件提供3000Vrms的增强型电气隔离,并具备高达50kV/s的卓越共模瞬变抗扰度,确保在恶劣的功率开关噪声环境下稳定工作。
其核心优势在于快速的开关性能,典型传播延迟低,上升/下降时间仅为12ns,结合4A的峰值拉灌电流输出能力,能够高效驱动IGBT、MOSFET等功率开关器件。器件支持4.5V至18V的宽范围输出侧供电,采用8-SOIC封装,工作温度范围为-40°C至125°C,专为要求高可靠性、高功率密度的工业电机驱动、电源转换和光伏逆变等应用而设计。



















