
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 数字隔离器,封装:16-SOIC
- 技术参数:DGTL ISOLTR 5KV 3CH GP 16-SOIC
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ADUM231E0BRWZ-RL是ADI(Analog Devices)公司推出的一款基于iCoupler磁隔离技术的三通道数字隔离器。该器件采用先进的芯片级变压器技术,通过磁耦合方式在输入与输出电路之间建立可靠的电气隔离屏障,有效替代传统光耦方案。其核心架构集成了高速CMOS工艺与多芯片级变压器,能够在单一封装内实现高集成度的信号与电源隔离(本型号不集成隔离电源),同时确保信号传输的完整性与低功耗特性。
该隔离器具备出色的性能指标,其5000Vrms的隔离电压与高达75kV/s的共模瞬变抗扰度(CMTI),使其在存在剧烈电压波动和噪声的恶劣工业环境中能够稳定工作,有效防止高压浪涌和地电位差导致的逻辑错误或设备损坏。其数据传输能力同样卓越,支持最高150Mbps的数据速率,并且传播延迟极低(最大值13ns),配合仅为3ns的最大脉宽失真和2.5ns的典型上升/下降时间,确保了高速数字信号(如SPI、IC、RS-485)在穿越隔离屏障时具有优异的时序保真度和信号完整性。
在接口与工作参数方面,ADUM231E0BRWZ-RL提供了3个单向隔离通道,配置为2个正向与1个反向通道,为各种双向通信需求提供了灵活的布局。其宽泛的1.7V至5.5V供电电压范围使其能够轻松兼容3.3V、5V等不同逻辑电平的系统,实现多电压域间的无缝连接。器件采用16引脚SOIC宽体封装,满足表面贴装要求,并支持-40°C至125°C的扩展工业温度范围,保证了其在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ADI芯片代理获取该产品及相关设计资源。
凭借其高可靠性、高速性能与强大的抗干扰能力,ADUM231E0BRWZ-RL非常适用于工业自动化、电机驱动、太阳能逆变器、医疗设备、通信电源以及电动汽车充电桩等应用场景。在这些系统中,它主要用于隔离微控制器与功率器件(如IGBT、SiC MOSFET)的驱动信号、保护敏感的测量电路,或在不同的安全电压域之间安全地传输数据与控制信号,是构建高安全性、高稳定性电子系统的关键元器件。
- 型号:ADUM231E0BRWZ-RL
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-SOIC
- 类目:隔离器 > 数字隔离器
- 描述:DGTL ISOLTR 5KV 3CH GP 16-SOIC
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 类型:通用
- 隔离式电源:无
- 通道数:3
- 输入 - 侧 1/侧 2:2/1
- 通道类型:单向
- 电压 - 隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):75kV/s
- 数据速率:150Mbps
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):13ns,13ns
- 脉宽失真(最大):3ns
- 上升/下降时间(典型值):2.5ns,2.5ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:16-SOIC
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ADUM231E0BRWZ-RL是一款采用磁耦合技术的三通道通用数字隔离器,提供高达5000Vrms的电气隔离强度。其设计旨在确保高速数字信号在存在危险电压或地电位差的电路域之间实现可靠、无失真的传输。
该器件核心优势在于其卓越的电气性能组合:支持高达150Mbps的数据速率,同时具备75kV/s的极高共模瞬态抗扰度和低至13ns的传播延迟。其1.7V至5.5V的宽电源电压范围确保了与多种逻辑电平的兼容性,而-40°C至125°C的工作温度范围则满足了严苛工业环境的应用需求。



















