
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 数字隔离器,封装:8-SOIC
- 技术参数:DGTL ISOLTR 3KV 2CH GP 8-SOIC
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ADUM121N1BRZ是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款基于iCoupler磁隔离技术的双通道数字隔离器。该器件采用先进的芯片级变压器设计,通过磁耦合方式在输入与输出电路之间建立可靠的电气隔离屏障,有效替代传统光耦方案,在性能、集成度和可靠性方面实现了显著提升。其核心架构确保了信号在跨越隔离栅时的高保真度与低延迟传输,同时避免了光耦器件固有的LED老化、温度敏感性以及速度限制等问题。
该隔离器具备出色的电气隔离性能,其隔离耐压高达3000Vrms,并拥有极高的共模瞬变抗扰度(CMTI),最小值可达75kV/s。这一特性使其在工业电机驱动、光伏逆变器或开关电源等存在剧烈电压波动和噪声干扰的恶劣电磁环境中,能够确保数据通信的完整性与系统稳定性,防止误触发或逻辑错误。其单向通道配置(侧1与侧2各一个通道)为需要单向信号隔离的控制与反馈回路提供了简洁高效的解决方案。
在接口与动态性能方面,ADUM121N1BRZ支持宽范围供电电压(1.7V至5.5V),便于与多种逻辑电平的微控制器或数字信号处理器直接接口,增强了系统设计的灵活性。其数据传输速率最高可达150Mbps,同时保持了极低的信号延迟与失真,典型传播延迟仅为13ns,脉宽失真最大为3ns,上升/下降时间典型值为2.5ns。这些参数共同保证了高速数字信号(如PWM、SPI、IC、RS-485等)在隔离传输过程中的时序精度与信号完整性。对于需要可靠隔离组件的工程师而言,通过正规的ADI中国代理进行采购是确保产品正品与获得技术支持的重要途径。
得益于其通用型设计、宽温工作范围(-40°C至125°C)以及表面贴装(8-SOIC)封装,该器件非常适合应用于工业自动化、电力能源、医疗设备、通信基础设施以及汽车电子等领域。具体应用场景包括隔离式栅极驱动、PLC数字I/O模块、传感器接口隔离、电源系统反馈控制以及电池管理系统中的电压电流采样隔离等,为系统提供安全、可靠且高性能的隔离保障。
- 型号:ADUM121N1BRZ
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:隔离器 > 数字隔离器
- 描述:DGTL ISOLTR 3KV 2CH GP 8-SOIC
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 类型:通用
- 隔离式电源:无
- 通道数:2
- 输入 - 侧 1/侧 2:1/1
- 通道类型:单向
- 电压 - 隔离:3000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):75kV/s
- 数据速率:150Mbps
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):13ns,13ns
- 脉宽失真(最大):3ns
- 上升/下降时间(典型值):2.5ns,2.5ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC
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ADUM121N1BRZ是ADI公司基于iCoupler磁隔离技术的一款双通道、单向通用数字隔离器。该器件提供高达3000Vrms的电气隔离强度,并具备卓越的75kV/s最小共模瞬变抗扰度,确保在严苛的工业噪声环境中信号传输的稳定可靠。
其核心性能优势体现在高速与低延迟方面,支持最高150Mbps的数据速率,同时传播延迟典型值低至13ns,脉宽失真最大仅为3ns。器件支持1.7V至5.5V的宽电源电压范围,兼容多种逻辑电平,并采用8-SOIC表面贴装封装,工作温度范围覆盖-40°C至125°C,为高速数字接口的隔离需求提供了高性能、高可靠性的解决方案。



















