
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频前端(LNA + PA),封装:24-LGA(5x5)
- 技术参数:FRONT END MODULE, 6-18 GHZ
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ADTR1107ACCZ是一款由Analog Devices(亚德诺半导体)设计生产的高性能、宽带射频前端模块(FEM),其工作频率覆盖6GHz至18GHz的Ku波段及部分扩展频段。该芯片采用高度集成的单片微波集成电路(MMIC)架构,将低噪声放大器(LNA)和功率放大器(PA)功能,连同关键的SPDT(单刀双掷)开关,共同集成在一个紧凑的24引脚TFLGA封装内。这种先进的架构设计不仅显著优化了信号链路的物理布局,减少了外围元件数量,更重要的是通过芯片级的阻抗匹配和优化,确保了在超宽频带内实现优异的增益平坦度、噪声系数和输出功率性能,为系统设计提供了高可靠性的射频核心单元。
在功能实现上,该模块的核心价值在于其卓越的宽带性能与高集成度。其内置的LNA在提供高增益的同时,保持了极低的噪声系数,这对于接收链路灵敏度的提升至关重要;而PA部分则能在线性工作区域内提供充足的输出功率,满足发射链路的驱动需求。集成的SPDT开关实现了接收与发射通道之间的快速、低损耗切换,构成了完整的T/R(收/发)前端。整个模块的设计充分考虑了实际应用中的挑战,例如具有良好的输入/输出回波损耗,这简化了与天线及后续电路的匹配设计。用户可以通过标准的控制逻辑方便地管理其工作模式(接收或发射),使得ADI授权代理所提供的该型号产品能够快速部署于复杂的射频系统中。
从接口与参数来看,ADTR1107ACCZ采用表贴式的24-TFLGA封装,非常适合对空间和重量有严格要求的现代电子设备。其工作电压和电流参数经过优化,在保证性能的同时兼顾了功耗效率。关键的射频指标,如工作带宽、增益、噪声系数、输出1dB压缩点(P1dB)以及开关的隔离度与切换速度,均在数据手册中有明确的规定,确保了设计的一致性和可预测性。工程师可以依据这些参数,精确地将其集成到系统链路预算中,进行端到端的性能仿真与评估。
基于其宽频带、高集成度和优异的射频特性,ADTR1107ACCZ非常适合于需要紧凑型、高性能射频前端的应用场景。典型应用包括相控阵雷达系统、卫星通信终端、电子战(EW)设备、微波点对点通信链路以及高级测试测量仪器。在这些领域中,该芯片能够有效简化射频前端的设计复杂度,缩短开发周期,同时提供从C波段延伸至Ku波段的稳定、高性能信号放大与路由解决方案,是构建下一代敏捷、软件定义射频系统的理想选择。
- 型号:ADTR1107ACCZ
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:24-LGA(5x5)
- 类目:射频和无线 > 射频前端(LNA + PA)
- 描述:FRONT END MODULE, 6-18 GHZ
- 系列:-
- 包装:带
- 产品状态:在售
- 射频类型:通用
- 频率:6GHz ~ 18GHz
- 特性:SPDT
- 等级:-
- 资质:-
- 封装/外壳:24-TFLGA 焊盘
- 供应商器件封装:24-LGA(5x5)
- ADTR1107ACCZ优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
ADTR1107ACCZ是亚德诺半导体(ADI)推出的一款覆盖6GHz至18GHz的超宽带射频前端模块(FEM)。该模块高度集成,在一个芯片内融合了低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA)以及一个SPDT开关,构成了一个完整的收/发(T/R)前端核心。
其核心卖点在于极宽的工作带宽与高度的功能集成化。通过先进的MMIC技术,它在整个频段内提供了优化的增益、噪声和功率性能,同时SPDT开关确保了收发通道间高效、可靠的切换。采用紧凑的24-TFLGA封装,该器件显著简化了系统设计,降低了物料清单(BOM)复杂性和占板面积,非常适合对尺寸、重量和性能有严苛要求的现代射频系统。



















