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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电压基准,封装:8-SOIC
  • 技术参数:IC VREF SERIES 0.02% 8SOIC
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ADR4540BRZ-R7 技术参数详情:

ADR4540BRZ-R7是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高精度、低噪声、低漂移的系列电压基准源芯片。该器件采用先进的埋入式齐纳二极管基准架构,这种架构通过将基准结深埋于硅片表面之下,有效隔离了表面应力和污染的影响,从而实现了卓越的长期稳定性和极低的噪声特性。其内部集成的精密温度补偿电路与低漂移薄膜电阻网络协同工作,确保了在整个工作温度范围内输出电压的精确与稳定。

该芯片的核心优势在于其±0.02%的初始精度2ppm/°C的超低温漂系数,这为高精度数据采集系统、精密仪器仪表提供了可靠的电压基准。其输出电压固定为4.096V,这是一个在工业与测试测量领域广泛应用的标准基准电压值,特别适用于驱动16位及更高分辨率的模数转换器(ADC)。此外,其0.1Hz至10Hz频带内的噪声低至2.7Vp-p,有效降低了系统底噪,提升了信号链的信噪比。其工作电压范围宽达4.2V至15V,静态工作电流仅为950A,功耗极低,非常适合电池供电或对功耗敏感的应用。

在电气接口方面,ADR4540BRZ-R7提供高达10mA的拉/灌电流能力,能够直接驱动多个负载,增强了系统设计的灵活性。其采用标准的8引脚SOIC封装,支持表面贴装,便于集成到各种紧凑的PCB布局中。该器件的工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至125°C,确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要保证正品供应和稳定货期的客户,建议通过官方授权的ADI一级代理商进行采购。

基于其卓越的性能指标,该芯片的理想应用场景包括高精度数据采集系统、工业过程控制、医疗电子设备、精密测试与测量仪器、以及高分辨率ADC/DAC的参考电压源。无论是在需要长期稳定性的自动化生产线,还是在追求极致精度的实验室仪表中,它都能作为信号链的“锚点”,为整个系统的精度提供坚实保障。

  • 型号:ADR4540BRZ-R7
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电压基准
  • 描述:IC VREF SERIES 0.02% 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 参考类型:系列
  • 输出类型:固定
  • 电压 - 输出(最小值/固定):4.096V
  • 电压 - 输出(最大值):-
  • 电流 - 输出:10 mA
  • 容差:±0.02%
  • 温度系数:2ppm/°C
  • 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz:2.7Vp-p
  • 噪声 - 10Hz 至 10Hz:-
  • 电压 - 输入:4.2V ~ 15V
  • 电流 - 供电:950A
  • 电流 - 阴极:-
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • ADR4540BRZ-R7优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

ADR4540BRZ-R7是一款由Analog Devices生产的高性能系列电压基准源,采用8-SOIC封装。该器件提供4.096V的固定输出电压,其核心特性在于极高的精度与稳定性,初始容差低至±0.02%,最大温度系数仅为2ppm/°C。

此外,该基准源在0.1Hz至10Hz频带内具有2.7Vp-p的超低噪声性能,工作电压范围为4.2V至15V,静态电流消耗为950A。其10mA的输出电流驱动能力和-40°C至125°C的宽工作温度范围,使其成为高精度数据转换、精密仪器和工业控制系统中理想的高稳定性电压参考解决方案。

AD7980:16位、1 MSPS、PulSAR ADC,采用MSOP/LFCSP封装
ADUM5010:2.5KV RMS隔离式DC/DC转换器
DAC8413:四通道、12位电压输出DAC,具有回读功能
AD7837:完整的LC2MOS、双通道12位MDAC,采用(8 + 4)加载结构
LT6232:215MHz、轨至轨输出、1.1nV/√Hz、3.5mA 运放系列
AD7265:差分/单端输入、双核1 MSPS、12位、3通道SAR A/D转换器
LT1086:1.5A、可调及固定 2.85V、3.3V、3.6V、5V、12V 低压差正稳压器
ADSP-SC573:双核SHARC+(带768KB L1)、ARM Cortex-A5、1MB共用的L2、DDR、千兆以太网、USB、SDIO、400-cspBGA
ADG836L:0.5 Ω、CMOS、1.65 V至3.6 V、双通道单刀双掷开关/2:1多路复用器,保证泄漏性能
ADAR3000:17 GHz至22 GHz、4波束和4元件、Ka频段波束形成器
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