- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电压基准，封装:8-SOIC
- 技术参数：IC VREF SERIES 0.05% 8SOIC
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ADR433BRZ是一款基于ADI公司专有XFET（外加离子注入场效应晶体管）架构构建的高精度、低噪声、低功耗系列电压基准源。该架构通过在芯片内部集成一个埋藏式齐纳二极管和一个超稳定的FET结构，实现了优异的长期稳定性和极低的噪声特性。与传统的带隙基准或掩埋齐纳基准相比，XFET技术有效规避了齐纳噪声，并显著降低了热迟滞效应，从而在宽温度范围内提供更稳定、更纯净的基准电压输出。
该器件提供3.000V的固定输出电压，其初始精度高达±0.05%，确保了系统从初始上电即具备极高的测量或转换精度。其核心优势在于极低的温度漂移，典型温度系数低至3ppm/°C，这意味着在-40°C至125°C的整个工业级工作温度范围内，输出电压的变化被控制在极小的范围内，为高精度数据采集系统、精密仪器仪表提供了坚实的保障。同时，其超低噪声特性，在0.1Hz至10Hz频带内噪声电压峰峰值仅为3.75Vp-p，使其特别适用于对信号纯净度要求极高的高分辨率模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）的参考输入。
在接口与电气参数方面，ADR433BRZ采用标准的8引脚SOIC封装，支持表面贴装，便于集成。其工作输入电压范围宽达5V至18V，为系统设计提供了灵活性。尽管性能卓越，其静态工作电流典型值仅为800A，输出端可提供高达30mA的拉/灌电流能力，能够直接驱动多个负载或作为ADC的基准源而无需额外缓冲。对于需要长期稳定供货和技术支持的客户，可以通过正规的ADI代理商获取该产品及相关设计资源。
凭借其高精度、低漂移和低噪声的综合性能，该芯片广泛应用于各类要求严苛的工业与医疗设备、高精度测试测量系统、自动化控制单元以及高分辨率数据采集系统中。它常被用作16位至24位Σ-Δ型ADC或精密DAC的基准电压源，是提升系统整体精度和稳定性的关键元器件。在电池供电的便携式设备中，其低功耗特性也使其成为延长设备运行时间的理想选择。
- 型号:ADR433BRZ
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电压基准
- 描述:IC VREF SERIES 0.05% 8SOIC
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 参考类型:系列
- 输出类型:固定
- 电压 - 输出（最小值/固定）:3V
- 电压 - 输出（最大值）:-
- 电流 - 输出:30 mA
- 容差:±0.05%
- 温度系数:3ppm/°C
- 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz:3.75Vp-p
- 噪声 - 10Hz 至 10Hz:-
- 电压 - 输入:5V ~ 18V
- 电流 - 供电:800A
- 电流 - 阴极:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
- ADR433BRZ优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。
ADR433BRZ是ADI公司推出的一款采用XFET技术的高精度系列电压基准源，提供3V固定输出。该器件具备±0.05%的初始精度和低至3ppm/°C的典型温度系数，确保了在-40°C至125°C宽温范围内的输出电压稳定性。
其关键特性包括极低的0.1Hz至10Hz频带噪声（3.75Vp-p）、宽输入电压范围（5V至18V）以及仅800A的低静态电流。该基准源可提供30mA输出电流，采用8-SOIC封装，适用于对精度和稳定性有苛刻要求的高分辨率数据转换、精密仪器及工业控制系统。
