ADR421BRZ是一款基于亚德诺半导体（ADI）专有XFET（外加离子注入场效应晶体管）架构构建的精密系列电压基准源。该架构通过在基准核心电路上叠加一个离子注入层来实现，其核心优势在于显著降低了传统带隙或齐纳二极管基准中由衬底电流和表面态效应引起的噪声与温度漂移。这种设计使得器件在宽温度范围内能维持极低的温度系数和出色的长期稳定性，其内部电路经过精密修调，确保了输出电压的初始精度。

该器件提供2.5V的固定输出电压，初始精度高达±0.04%，最大温度系数低至3ppm/°C。其超低噪声特性尤为突出，在0.1Hz至10Hz频带内噪声典型值仅为1.75V峰峰值，这对于高分辨率数据采集系统和精密测量仪器至关重要。其工作电压范围宽达4.5V至18V，而静态工作电流典型值仅为600A，体现了高效能的设计理念。输出端可提供或吸收高达10mA的电流，并保持稳定的负载调整率，封装形式为工业标准的8引脚SOIC，支持-40°C至125°C的扩展工业温度范围。

在接口与参数方面，ADR421BRZ采用三端器件结构（输入、输出、地），使用简便。其宽输入电压范围允许其兼容多种电源轨，而低至600A的供电电流使其非常适用于电池供电的便携式设备。关键直流参数如低温度系数和超高初始精度，结合其优异的交流特性（低噪声），共同定义了其在精密系统中的性能边界。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ADI代理获取原装正品和技术支持。

凭借其卓越的精度、稳定性和低噪声性能，该芯片是高精度数据转换器（ADC/DAC）、精密模拟前端、实验室级测试设备、医疗仪器以及工业过程控制系统中基准电压源的理想选择。它能够为16位乃至更高分辨率的系统提供洁净、稳定的参考，确保系统整体性能达到设计指标，在要求严苛的航空航天、通信基础设施和自动化控制领域也有着广泛的应用前景。

• 型号:ADR421BRZ
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电压基准
• 描述:IC VREF SERIES 0.04% 8SOIC
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 参考类型:系列
• 输出类型:固定
• 电压 - 输出（最小值/固定）:2.5V
• 电压 - 输出（最大值）:-
• 电流 - 输出:10 mA
• 容差:±0.04%
• 温度系数:3ppm/°C
• 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz:1.75Vp-p
• 噪声 - 10Hz 至 10Hz:-
• 电压 - 输入:4.5V ~ 18V
• 电流 - 供电:600A
• 电流 - 阴极:-
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• ADR421BRZ优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。

ADR421BRZ是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高精度、低噪声系列电压基准源，隶属于其先进的XFET产品系列。该器件提供固定的2.5V输出，初始容差仅为±0.04%，并具备低至3ppm/°C的超低温漂系数，确保了在-40°C至125°C宽温范围内的输出电压稳定性。

其核心卖点在于极低的输出噪声，在0.1Hz至10Hz关键频段内噪声低至1.75Vp-p，同时仅消耗600A的静态电流。该器件工作于4.5V至18V的宽输入电压范围，可提供10mA的输出驱动能力，采用8-SOIC表面贴装封装。这些特性使其成为高分辨率数据转换系统、精密测量仪器和便携式高端设备的理想电压基准解决方案。