ADR291GRZ是亚德诺半导体（Analog Devices）基于其专利XFET（外加离子注入场效应晶体管）架构开发的一款精密系列电压基准源。该架构通过在传统结型场效应晶体管（JFET）中引入额外的离子注入层，有效抑制了齐纳二极管基准中常见的齐纳噪声和热迟滞效应，从而在宽温度范围内实现了优异的长期稳定性和极低的噪声特性。这种核心设计使得该器件能够在提供高精度基准电压的同时，保持极低的功耗和出色的电源抑制比（PSRR）。

该器件提供2.5V的固定输出电压，初始精度高达±0.24%，其温度系数低至30ppm/°C，确保了在-40°C至125°C的宽工作温度范围内输出电压的稳定性。其0.1Hz至10Hz频带内的噪声电压峰峰值仅为50Vp-p，这对于高分辨率数据采集系统和精密测量设备至关重要。此外，15A的超低静态电流使其非常适合电池供电或对功耗有严格要求的便携式应用。其工作电压范围为3V至15V，输出可提供或吸收高达5mA的电流，并能在容性负载下稳定工作。

在接口与参数方面，ADR291GRZ采用标准的8引脚SOIC封装，支持表面贴装，便于集成到各类紧凑的PCB设计中。其系列（三端）参考类型和固定输出简化了外围电路设计，用户仅需在输入和输出端配置适当的去耦电容即可获得稳定的基准电压。对于需要稳定可靠基准源的设计工程师而言，从ADI一级代理商处获取此器件，可以确保产品供应链的正规与技术支持的专业性。

得益于其高精度、低噪声和低功耗的特性，ADR291GRZ广泛应用于需要精密电压基准的各类电子系统中。典型应用场景包括高精度模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）的参考电压源、精密仪器仪表、工业过程控制系统、医疗电子设备以及便携式测试测量设备。在这些对系统精度和稳定性要求极高的领域，该芯片能够为整个信号链提供可靠、干净的电压基准，是提升系统整体性能的关键元器件。

• 型号:ADR291GRZ
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电压基准
• 描述:IC VREF SERIES 0.24% 8SOIC
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 参考类型:系列
• 输出类型:固定
• 电压 - 输出（最小值/固定）:2.5V
• 电压 - 输出（最大值）:-
• 电流 - 输出:5 mA
• 容差:±0.24%
• 温度系数:25ppm/°C
• 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz:8Vp-p
• 噪声 - 10Hz 至 10Hz:-
• 电压 - 输入:3V ~ 15V
• 电流 - 供电:15A
• 电流 - 阴极:-
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• ADR291GRZ优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。

ADR291GRZ是ADI推出的一款采用XFET技术的精密2.5V系列电压基准源。该器件提供±0.24%的初始精度和30ppm/°C的低温漂，在-40°C至125°C的宽温范围内保证稳定的电压输出。

其核心优势在于极低的噪声（0.1Hz至10Hz频带内50Vp-p）和仅15A的静态电流，同时支持3V至15V的宽输入电压范围和5mA的输出驱动能力。这些特性使其成为高精度数据转换、便携式仪器及工业控制系统中理想的高性能、低功耗基准解决方案。